英飞凌IPB60R299CPA CoolMOS™ 功率晶体管技术规格

"IPB60R299CPA是英飞凌（INFINEON）生产的一款CoolMOS系列的功率晶体管，主要用于汽车应用中的DC/DC转换器。这款芯片的特点包括极低的导通电阻与栅极电荷、极端的dv/dt耐受能力、高峰值电流能力，并且符合汽车行业的AEC-Q101质量标准，且采用环保的RoHS符合性封装。规格书中列出了该器件的主要参数，如连续和脉冲 Drain 电流、雪崩能量、栅源电压、功率耗散以及操作和存储温度范围等。" IPB60R299CPA是一款高性能的功率半导体元件，它在汽车电子领域有着广泛的应用。其特点如下： 1. 最低的导通电阻与栅极电荷（RonxQg）：这表示在开关操作时，IPB60R299CPA能够提供更低的功率损耗，从而提高效率。 2. 超低栅极电荷：快速开关响应，降低了开关损耗，进一步提高了系统的整体效率。 3. 极端的dv/dt耐受能力：器件可以承受高速开关时的电压变化率，增强了系统在恶劣条件下的稳定性。 4. 高峰值电流能力：设计能够承受大电流脉冲，适合于需要处理高瞬态电流的场合。 5. 汽车级认证（AEC-Q101）：确保了该芯片在汽车环境中的可靠性，满足严苛的汽车行业标准。 6. 绿色封装（RoHS兼容）：符合环保要求，不含有害物质。 规格书中列出了IPB60R299CPA的关键参数，这些参数定义了芯片在不同条件下的工作限制： - 连续Drain电流（ID）：在25°C和100°C下分别为11A和7A，表明芯片在正常工作温度下的持续电流承载能力。 - 脉冲Drain电流（ID,pulse）：在25°C下为4.4A，用于短时间的高电流需求。 - 雪崩能量（EAS, EAR）：单脉冲和重复脉冲下的能量值，显示了芯片在发生雪崩击穿时的耐受能力。 - MOSFET dv/dt耐受度：在VDS=0到480V时的最大dv/dt值，表明芯片能承受的电压变化速率。 - 栅源电压（VGS）：静态条件下最大可达600V，控制MOSFET的开关状态。 - 功耗（Ptot）：在25°C时的最大功率耗散为96W，决定了芯片的最大散热需求。 - 操作和存储温度范围：-40°C至150°C，确保芯片在宽温范围内稳定工作。 封装信息显示，IPB60R299CPA采用PG-TO263-3封装，标记为6R299A。规格书的版本号为Rev.2.0，日期为2009-09-09，表明这是该产品的一个更新版本。 IPB60R299CPA是一款专为汽车应用设计的高性能功率MOSFET，具有出色的开关性能、耐压能力和高可靠性，是汽车电子系统中高效能转换和控制的理想选择。