SM3113NSUC-TRG-VB MOSFET：30V 100A 功率MOSFET技术详解

"SM3113NSUC-TRG-VB MOSFET是一款N沟道、30V、100A的功率MOSFET，具有低的RDS(ON)值，分别在10V和4.5V时为2mΩ和3mΩ。该器件适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换器等应用，符合RoHS指令2011/65/EU。" SM3113NSUC-TRG-VB MOSFET是一款高效率的N沟道TrenchFET功率MOSFET，设计用于高效能电子设备。其主要特性包括： 1. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET结构，这种技术使得MOSFET的栅极形成一种沟槽形状，降低了电阻，从而提高了开关性能和效率。 2. **低RDS(ON)**：在10V的栅极电压下，RDS(ON)仅为2毫欧，这表示在导通状态下器件的内部电阻非常小，能有效降低导通损耗，提高系统效率。 3. **电流能力**：此MOSFET可连续处理100A的电流（在TJ=175°C时），并且在不同温度条件下，如在TC=70°C时，最大连续电流限制为80A。 4. **栅极电荷与阈值电压**：典型栅极电荷为2nC，这意味着在开关操作时需要较少的驱动电流，有助于快速开关。阈值电压Vth为1.9V，确保了良好的控制特性。 5. **应用领域**：SM3113NSUC-TRG-VB适用于电源OR-ing，这是并联多个电源以提供冗余或负载平衡的功能。它也常见于服务器电源管理以及DC/DC转换器，这些场景都需要高效的电源转换和控制。 6. **安全性与合规性**：产品符合RoHS指令，表明其不含铅且符合环保标准。 7. **绝对最大额定值**：包括30V的源漏电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)以及100A的连续漏电流(ID)，确保在正常工作条件下的稳定性。 8. **热性能**：最大结温范围为-55到175°C，允许其在各种环境温度下工作。在不同温度下，器件的最大功率耗散（PD）和连续源漏二极管电流（IS）也会相应变化。 9. **脉冲电流与能量**：可承受300A的脉冲漏电流（IDM）和39A的雪崩电流脉冲（IAS），以及单脉冲雪崩能量94.8mJ，表明其具备良好的过载能力。 SM3113NSUC-TRG-VB MOSFET是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子应用。其低RDS(ON)、高电流承载能力和出色的热管理特性，使其成为电源管理、服务器和DC/DC转换器的理想选择。