GaAs光导天线太赫兹发射器的场筛选效应时间研究

"Time behavior of field screening effects in GaAs photoconductive antenna as a terahertz emitter" 这篇论文探讨了砷化镓（GaAs）光导天线作为太赫兹（THz）发射器时的场筛选效应（Field Screening Effect）的时间特性。在太赫兹科学与技术领域，这种效应是理解光导天线性能的关键因素之一，特别是在高速、高灵敏度的THz源开发中。砷化镓因其优良的光电特性，常被用作制作THz发射器的材料。 作者通过泵浦探测太赫兹产生技术（Pump-Probe THz Generation Technique）对小型GaAs光导天线进行了实验研究。该技术利用一个高强度的泵浦激光脉冲激发天线，随后用探测激光脉冲测量产生的THz脉冲的峰值幅度，以此来分析场筛选效应随时间的变化。这种方法可以揭示光导天线内部电荷动力学的详细信息。 论文中提到了一种等效电路模型，用于模拟实验数据。通过比较模拟结果与实验观测到的数据，研究人员能够解析出辐射场和空间电荷场的时间行为。实验结果显示，空间电荷的屏蔽作用对于THz脉冲的形成和传播有显著影响。空间电荷的动态变化决定了THz脉冲的形状、强度以及其在天线内的传播特性。 空间电荷筛选效应是指在光导天线中，当电子-空穴对被泵浦激光激发后，会在电场作用下迅速分离并积累形成空间电荷。这些空间电荷会反过来改变局部电场，从而影响后续THz脉冲的产生和传播。了解这一效应的时间演化对于优化THz光源的设计，提高发射效率和频率稳定性具有重要意义。 此外，论文的作者还包括了王天一、杨振刚、邹思、王胜烈、王克家和刘金松，他们均来自华中科技大学光电信息学院的武汉国家光电实验室。王天一是研究生，专注于THz无损检测，而杨振刚是讲师，专长于THz光电子学。论文通讯作者为杨振刚，可通过邮箱mikleyang@163.com联系。 这篇“首发论文”深入研究了GaAs光导天线在THz发射过程中的关键物理现象——场筛选效应的时间演变，为理解和改进THz发射器的性能提供了重要的理论基础和实验依据。