东芝TC51WKM616AXBN75：高性能低功耗16位伪静态RAM

"TOSHIBA的TC51WKM616AXBN75是一款由东芝制造的4,194,304字x16位伪静态随机存取存储器（PSRAM），采用TFBGA48封装，具有高速、低功耗的特性，并支持双电源供电和页访问操作模式。" TC51WKM616AXBN75是东芝生产的一款高性能、低功耗的CMOS伪静态RAM，其设计容量为67,108,864位，即4,194,304个16位字。这种存储器采用了先进的CMOS工艺和电路技术，旨在提供高密度、高速度和低功耗的解决方案。 该设备的访问时间表现优异，包括： - 访问时间（AccessTime）：75ns - CE1访问时间（CE1AccessTime）：75ns - 输出使能访问时间（OEAccessTime）：25ns - 页访问时间（PageAccessTime）：30ns 封装方面，TC51WKM616AXBN75使用了P-TFBGA48-0811-0.75BZ封装，重量大约为gtyp.，具体数值未给出。这种封装形式提供了小巧的尺寸和良好的电气性能。 这款PSRAM兼容直接TTL电平，所有输入和输出都与TTL标准兼容，确保了与现有系统的良好集成。此外，它还支持双电源供电，核心电压范围为2.6至3.3V，输出缓冲器电压则在1.7至2.2V之间，这种设计允许更灵活的电源管理。 重要特性还包括： - **深电源关闭模式**：在该模式下，内存单元数据无效，实现低功耗待机状态。 - **页操作模式**：页面大小为8个字，这种操作模式提高了数据读写效率，特别是在连续访问相同页面的数据时。 TC51WKM616AXBN75适用于需要高速、大容量存储并且对功耗有严格要求的嵌入式系统和电子设备，如移动设备、嵌入式计算平台或工业控制系统。其SRAM般的写入/读取时序使得控制更加简单，通过CE1、OE和WE信号异步控制，便于系统设计和集成。