SI4425DY-T1-E3-VB P沟道MOSFET技术分析与应用
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更新于2024-08-03
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"SI4425DY-T1-E3-VB是一款由Silicon Labs(芯科实验室)推出的P沟道SOP8封装的MOSFET。这款器件具有低阻抗、高性能的特点,适用于电源开关等应用。"
SI4425DY-T1-E3-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要特点包括:
1. **无卤素设计**:符合IEC61249-2-21标准,确保了环保和安全。
2. **TrenchFET®技术**:采用沟槽型结构,这种技术可以提高MOSFET的开关性能和降低导通电阻,从而减少在工作时的能量损失。
3. **严格的测试**:100%的Rg和UIS测试,确保了器件的可靠性和安全性。
4. **应用领域**:适合用作负载开关,例如在笔记本电脑和台式电脑中作为电源管理元件。
5. **参数规格**:
- **额定漏源电压(VDS)**:最大-30V,保证了在额定工作电压下的稳定性。
- **导通电阻(RDS(on))**:在VGS=-10V时,RDS(on)为10mΩ,而在VGS=-4.5V时,RDS(on)为13mΩ,这表示较低的静态功耗。
- **连续漏极电流(ID)**:在不同温度下有不同的额定值,如在TJ=150°C时为-11.6A,而在TJ=25°C时为-11.6A。
- **栅源电压(VGS)**:最大±20V,确保了宽范围的控制能力。
- **栅极电荷(Qg)**:在典型条件下为22nC,反映了MOSFET开关速度。
6. **绝对最大额定值**:包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、连续源漏二极管电流、雪崩电流等,这些参数设定了器件在安全操作区内的极限值。
7. **热特性**:包括最大功率耗散和热阻,如在25°C时的最大功率耗散为5.6W,而热阻则影响了器件在高工作温度下的散热性能。
总结来说,SI4425DY-T1-E3-VB是一款适用于电源管理的高性能P沟道MOSFET,其低导通电阻和优良的电气特性使其成为负载开关应用的理想选择,特别是在便携式设备和计算机系统中。
2024-05-31 上传
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