CMOS集成电路版图设计:从门电路到全加器
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更新于2024-07-11
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"本章介绍了集成电路中的版图设计实例,主要关注CMOS技术,包括门电路、RAM单元和阵列的设计。通过各种CMOS逻辑门(如反相器、异或门、与门、与或非门、或与非门和全加器)的电路图和版图分析,阐述了如何优化版图布局以实现功能和面积的平衡。此外,还提到了CMOSRAM单元的版图设计,强调了双层金属设计和连线策略。"
在CMOS门电路设计中,反相器的版图有两种常见形式:一种是多晶栅竖直排列,使得源区面积减小,从而降低面积;另一种是多晶栅水平排列,允许其他金属线穿越,但可能增加面积。异或门的版图可以采用多晶栅竖直或水平布局,根据不同的布局策略来调整电路的高度和宽度。二输入端与门通过合并公共区域减少面积,而与或非门(AOI)和或与非门(OAI)则需要熟练掌握MOS管的串联和并联画法。
全加器的版图设计尤为复杂,需要考虑多个输入信号的共享,以及如何有效地布局器件以实现串并联结构。版图设计中,A、B、C输入线的位置安排和连接方式对整体布局至关重要,例如A线靠近Vdd转折,B线靠近Vss转折,而C线则需要在适当位置用金属线连接。进位和求和的输出反相器通常使用较大的宽长比以提高驱动能力。
CMOSRAM单元的版图设计则涉及双层金属结构,其中反相器共源,交叉连接和衬底连接使用金属1,位线和字线使用金属2。门管的多晶栅与金属1相连,通过通孔连接到字线,确保数据存储和读取的可靠性。
在版图设计中,对称性是重要的考量因素,这不仅涉及到美学,更关乎性能和工艺一致性。例如,描述中提到的将M5分割为M5a和M5b就是为了实现版图的对称性。这种做法有助于减小工艺误差对电路性能的影响,提高电路的可靠性和一致性。
总结来说,版图设计是集成电路设计的关键环节,它直接影响到芯片的性能、功耗和成本。通过对CMOS门电路、RAM单元等不同模块的版图优化,设计师可以实现更高效、更紧凑的集成电路设计,满足日益增长的计算需求。
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