AFP4953WSS8RG-VB：双P-Channel 30V MOSFET技术规格

"AFP4953WSS8RG-VB是一款采用SOP8封装的双P-Channel沟道场效应MOSFET，主要特点包括无卤素、TrenchFET技术、100%UIS测试，适用于负载开关等应用。关键参数包括-30V的漏源电压、RDS(ON)低至35mΩ@VGS=10V，以及-7A的连续漏极电流。" AFP4953WSS8RG-VB是一款由两个P-Channel沟道组成的30V MOSFET，设计用于在电源管理中提供高效能和低损耗。该器件采用了先进的TrenchFET技术，这是一种深度沟槽结构，可减小晶体管的栅极电荷，从而实现更低的导通电阻(RDS(ON))和更快的开关速度。在VGS为10V时，RDS(ON)仅为35毫欧，这在高电流切换应用中至关重要，因为它可以减少功耗并提高系统的整体效率。 器件的最大漏源电压(VDS)为-30V，这意味着它能够承受高达30V的反向电压，适合在电源电路中处理较大的电压波动。同时，它能够在VGS为-10V时提供-7.3A的连续漏极电流(ID)，并且在VGS为-4.5V时，这一电流降至-6.3A。这使得AFP4953WSS8RG-VB适用于需要大电流控制的负载开关。 在热性能方面，该MOSFET的结温(TJ)范围为-55℃至150℃，具有良好的热稳定性和耐热能力。其最大功率耗散(PD)在环境温度为25℃时为5.0W，而当温度升高到70℃时，这一数值降至1.6W。这些参数表明，该器件在高温环境下仍能保持良好的散热性能。 此外，AFP4953WSS8RG-VB还通过了UIS测试，确保了在意外电压尖峰情况下的安全性。其瞬态脉冲漏极电流(DM)和连续源漏二极管电流(IS)也有明确的规格限制，保护了器件在过载条件下的稳定性。单脉冲雪崩能量(AES)为20mJ，允许在一定条件下进行安全的雪崩操作。 AFP4953WSS8RG-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，适用于需要高电流、低损耗和良好热管理能力的应用，如电源管理、负载开关和其他需要精细控制电流流动的电子设备。它的特性组合使其成为对效率和可靠性有严格要求的系统设计师的理想选择。