英飞凌CoolMOS SJ S7 MOSFET芯片技术规格

"IPQC60R017S7是INFINEON英飞凌公司生产的一款600V高压超级结（SJ）MOSFET功率器件，设计用于低频开关应用。这款芯片以优秀的性价比和最低的RDS(on)值著称，能显著提高能源效率。" 英飞凌的IPQC60R017S7 MOSFET采用先进的CoolMOS™ S7技术，该技术在最小的封装尺寸下实现了17毫欧的超低导通电阻（RDS(on)）。这一特性使得该器件在同类产品中表现出色，特别是在高功率密度和高效率要求的应用中。 该器件专为"静态切换"和高电流应用进行了优化，适用于固态继电器、电路断路器的设计，以及开关电源（SMPS）和逆变器拓扑中的线路整流。其特性包括： 1. 高效的CoolMOS™ S7技术：提供极低的导通电阻，从而在工作时减少功率损失，提高系统效率。 2. 优秀的性价比：在低频开关应用中，IPQC60R017S7能够以合理的价格提供高性能。 3. 强大的脉冲电流承受能力：能够在短时间内处理大电流，适应高瞬态负载条件。 4. Kelvin源极引脚：通过改善高电流下的开关性能，确保更稳定的运行。 5. QDPAK底部侧冷却封装：符合MSL1标准，完全无铅，适用于标准PCB组装流程，提高了生产兼容性和可靠性。 此外，IPQC60R017S7的封装类型为PG-HDSOP-22，具有22个引脚，其中12-22号引脚为漏极（Drain），1号引脚为栅极（Gate），3-11号引脚为源极（Source），2号引脚为驱动源（Driver），并且内置体二极管（Internal body diode），增加了其在应用中的灵活性。 在实际应用中，由于其出色的热管理和电气特性，IPQC60R017S7可广泛应用于工业自动化、电源转换、电机控制、电动汽车充电基础设施等领域。设计师可以利用这些特性来优化他们的系统设计，实现更高的能效和更低的系统成本。