VSd090N10MS-VB: 100V N沟道TO252封装MOSFET,高耐温175°C
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更新于2024-08-03
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本文档介绍的是VSd090N10MS-VB型号的N沟道TO252封装MOSFET,该器件是一款高性能的TrenchFET功率MOSFET,特别适用于初级侧开关等应用。以下是关于这款MOSFET的关键知识点:
1. **特性:**
- **TrenchFET结构**:利用深沟槽技术,提供高效能和低阻抗。
- **耐高温**:工作结温度高达175°C,确保在极端条件下仍保持稳定性能。
- **功率优化**:设计上注重功率效率,适合高功率应用场景。
- **可靠性测试**:所有器件经过100% Rg测试,保证产品质量。
- **环保合规**:符合RoHS指令2002/95/EC,满足电子废弃物管理标准。
2. **规格参数:**
- **最大电压**:
- Drain-Source Voltage (VDS): 100V
- Gate-Source Voltage (VGS): 可承受±20V连续操作,但必须注意安全过压限制。
- **电流能力**:
- Continuous Drain Current (ID): 在TJ=175°C时,125°C时为13A(脉冲电流限制为40A, IDM)。
- Continuous Source Current (IS): 3A(二极管导通时)。
- Avalanche Current (IAS): 3A,表示器件在短时间内可以承受的雪崩电流。
- Avalanche Energy (EAS) @ L=0.1mH: 单次脉冲雪崩能量为18mJ。
- **功率和散热**:最大功率损耗(PD)在25°C下为96W,具有良好的热管理,如RthJA和RthJC热阻。
3. **应用范围**:由于其高电压和大电流能力,这款MOSFET适用于需要高压、大功率控制的场合,例如电源转换、电机驱动等。
4. **封装和安装**:VSd090N10MS-VB采用TO252封装,适合表面安装在1"x1" FR4板上,需参考SOA曲线了解工作电压降随时间的变化情况。
5. **温度范围**:操作和储存温度范围宽广,从-55°C至175°C,满足不同环境条件下的稳定运行。
6. **热阻指标**:提供了junction-to-ambient和junction-to-case的典型和最大热阻值,用于计算散热设计。
总结来说,VSd090N10MS-VB是一款高可靠性和效能的N沟道MOSFET,适用于对电压和电流要求较高的电子设备,设计者在选择和使用时应考虑其电气参数、散热需求以及温度限制。
2024-01-05 上传
2023-11-16 上传
2024-01-03 上传
2021-03-06 上传
2021-03-16 上传
2021-04-11 上传
2021-03-07 上传
2021-08-04 上传
2021-03-10 上传
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