VSd090N10MS-VB: 100V N沟道TO252封装MOSFET，高耐温175°C

本文档介绍的是VSd090N10MS-VB型号的N沟道TO252封装MOSFET，该器件是一款高性能的TrenchFET功率MOSFET，特别适用于初级侧开关等应用。以下是关于这款MOSFET的关键知识点： 1. **特性：** - **TrenchFET结构**：利用深沟槽技术，提供高效能和低阻抗。 - **耐高温**：工作结温度高达175°C，确保在极端条件下仍保持稳定性能。 - **功率优化**：设计上注重功率效率，适合高功率应用场景。 - **可靠性测试**：所有器件经过100% Rg测试，保证产品质量。 - **环保合规**：符合RoHS指令2002/95/EC，满足电子废弃物管理标准。 2. **规格参数：** - **最大电压**： - Drain-Source Voltage (VDS): 100V - Gate-Source Voltage (VGS): 可承受±20V连续操作，但必须注意安全过压限制。 - **电流能力**： - Continuous Drain Current (ID): 在TJ=175°C时，125°C时为13A（脉冲电流限制为40A, IDM）。 - Continuous Source Current (IS): 3A（二极管导通时）。 - Avalanche Current (IAS): 3A，表示器件在短时间内可以承受的雪崩电流。 - Avalanche Energy (EAS) @ L=0.1mH: 单次脉冲雪崩能量为18mJ。 - **功率和散热**：最大功率损耗（PD）在25°C下为96W，具有良好的热管理，如RthJA和RthJC热阻。 3. **应用范围**：由于其高电压和大电流能力，这款MOSFET适用于需要高压、大功率控制的场合，例如电源转换、电机驱动等。 4. **封装和安装**：VSd090N10MS-VB采用TO252封装，适合表面安装在1"x1" FR4板上，需参考SOA曲线了解工作电压降随时间的变化情况。 5. **温度范围**：操作和储存温度范围宽广，从-55°C至175°C，满足不同环境条件下的稳定运行。 6. **热阻指标**：提供了junction-to-ambient和junction-to-case的典型和最大热阻值，用于计算散热设计。 总结来说，VSd090N10MS-VB是一款高可靠性和效能的N沟道MOSFET，适用于对电压和电流要求较高的电子设备，设计者在选择和使用时应考虑其电气参数、散热需求以及温度限制。