DMN3070SSN-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET，低RDS(ON)30mΩ

"DMN3070SSN-VB是一款由VB Semiconductor制造的N-Channel场效应MOSFET，采用SOT23封装，适用于DC/DC转换器等应用。该MOSFET的主要特性包括30V的耐压、6.5A的连续漏电流（在25°C时）、低RDS(ON)值，以及符合RoHS标准。" DMN3070SSN-VB是N-Channel沟道的MOSFET，其设计采用了TrenchFET®技术，这种技术能够提供更好的性能和更小的尺寸。器件的最大漏源电压（VDS）为30V，意味着它可以承受30V的最大电压差，而不会损坏。在10V的栅极-源极电压（VGS）下，它的开启电阻（RDS(ON)）仅为30mΩ，这使得它在开关操作中具有较低的功率损耗，适合用于需要高效能电源转换的场合。 此外，这款MOSFET经过了100%的栅极电荷（Rg）测试，确保了其可靠性和一致性。它符合RoHS指令，表明它不含卤素，符合环保要求。在应用中，DMN3070SSN-VB常被用于DC/DC转换器，这是一种常见的电子设备，用于将直流电压转换为不同等级的直流电压，适用于各种电子系统，如电池供电的设备或电源管理系统。 产品规格表提供了更多的电气参数。例如，当结温（TJ）为150°C时，连续漏电流ID限制为6.5A，而在70°C时，这个值降低到6.0A。脉冲漏电流IDM的最大值为25A，连续源漏二极管电流IS在25°C时为1.4A。最大功率耗散在25°C时为1.7W，而70°C时降低到1.1W。器件的操作和存储温度范围是-55°C至150°C。 热特性方面，MOSFET的热阻RθJC表示结到外壳的热阻，这是衡量器件在高功率操作时如何散热的关键指标。此外，建议的焊接峰值温度为260°C，确保了在组装过程中对器件的热冲击控制在安全范围内。 DMN3070SSN-VB是一款高性能、小巧且符合环保要求的N-Channel MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和紧凑尺寸的电源管理解决方案。