APM4925KC-TRL-VB: 30V双P沟道SOP8封装高性能MOS管

APM4925KC-TRL-VB是一款专为高效率开关应用设计的双P沟道30V耐压MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能。这款MOS管的特点包括： 1. **环保设计**：该器件采用无卤素材料，符合绿色电子的趋势，对环境友好。 2. **结构特性**：TrenchFET结构提供了更高的集成度和更小的寄生效应，从而实现更高的开关速度和更低的损耗。 3. **质量保证**：所有单元都经过100%的UIST（未知输入短路测试），确保了产品的可靠性和稳定性。 4. **应用领域**：适用于各种电子设备，如笔记本电脑、台式机、游戏站等中的负载开关，因其高可靠性和性能适合这些高性能系统。 5. **电气参数**： - **VDS（漏源电压）**：最高工作电压为-30V。 - **RDS(on)（导通电阻）**：在VGS=-10V时典型值为0.02Ω，-4.5V时为0.028Ω。 - **ID（连续漏电流）**：在不同温度下有明确的限制，如在25°C下，最大连续漏电流为-9.5A。 - **IS（连续源漏电流）**：在25°C时为-4.1A。 - **Avalanche Current（雪崩电流）**：在特定条件下，单脉冲雪崩能量为20mJ。 6. **功率处理能力**：最大功率耗散在25°C时为5.0W，随着温度升高，功率极限会相应降低，以保证安全运行。 7. **温度范围**：MOSFET可以在-55℃到150℃的宽温范围内工作，存储温度可达-55℃。 8. **热阻**：提供了典型的和最大值的热阻参数，确保散热性能良好。 这款APM4925KC-TRL-VB MOSFET凭借其独特的设计和严格的测试，为电子系统设计师提供了高效、可靠和节能的选择。在设计负载开关或需要高性能开关元件的电路时，应充分考虑这些关键参数以优化系统性能。