"DMN2041L-7-F-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于DC/DC转换器等应用。该器件具备低RDS(ON),高电流能力和符合RoHS标准的特点。"
DMN2041L-7-F-VB是N-Channel沟道的MOSFET,其设计采用了TrenchFET®技术,这是一种先进的制造工艺,旨在提高开关性能和降低导通电阻。这种MOSFET在SOT23小型封装下提供,适合需要节省空间和高效能的应用。
关键参数包括:
- 工作电压(Drain-Source Voltage, VDS):最大30V
- 额定连续漏极电流(Continuous Drain Current, ID):在25°C时为6.5A,随着温度升高,电流会有所下降
- 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时,典型值为30毫欧;在VGS=4.5V时,典型值为33毫欧
- 门极电荷(Gate Charge, Qg):典型值为4.5纳库仑
- 阈值电压(Threshold Voltage, Vth):1.2至2.2V
此外,该器件经过100%栅极电阻测试,确保了品质和一致性,并且符合RoHS指令,不含卤素,满足环保要求。DMN2041L-7-F-VB适用于DC/DC转换器,其中其低RDS(ON)有助于提高转换效率,而小型SOT23封装则便于在电路板上安装。
绝对最大额定值(Absolute Maximum Ratings)包括:
- 源漏电压(VDS):30V
- 栅源电压(VGS):±20V
- 连续漏极电流(ID):随温度变化,最大值在不同条件下有所不同
- 最大功率耗散(PD):随温度变化,最大值也有所不同
- 工作及存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C到150°C
热特性方面,该MOSFET具有特定的热阻值,影响其在不同条件下的散热性能。在选择使用DMN2041L-7-F-VB时,需要考虑这些参数以确保器件在工作环境中的稳定性和寿命。
总结,DMN2041L-7-F-VB是一款高性能、小巧且符合环保要求的N-Channel MOSFET,适用于需要高效开关性能和紧凑尺寸的电源转换应用。其低RDS(ON)和小封装尺寸使其成为许多电子设计的理想选择,特别是在需要高效率和节省空间的DC/DC转换器中。在设计电路时,需注意其电流、电压、功率耗散和温度限制,以确保器件的可靠运行。