CMU12N10-VB: 100V N沟道TO251封装MOS管，高耐温175°C

本文档介绍了一款名为CMU12N10-VB的N沟道TO251封装MOSFET，由VB半导体公司生产。这款MOSFET的特点包括： 1. **高耐温性能**：该器件的结温最高可达175°C，确保在高温环境下也能稳定工作。 2. **可靠性测试**：100%的Rg（栅极电阻）已经过测试，保证了元件的可靠性。 3. **电气特性**： - 阀值电压 (VDS)：最大为100V，适合于高压开关应用。 - 静态漏电流 (RDS(on))：在VGS=10V时，典型值为0.115Ω，表示低阻抗状态。 - 持续导通电流 (ID)：在25°C条件下，连续工作时最大为15A；在125°C时为8.7A。 - 脉冲导通电流 (IDM)：允许的最大峰值电流为45A。 - 二极管导通电流 (IS)：持续源电流为15A。 - 暴露于高能电脉冲下的 avalanche电流 (IAR)：15A。 - 反复浪涌能量 (EAR)：在1% duty cycle 下，最大为11.3mJ，表示器件能承受一定的过载。 4. **功率管理**：最大功率损耗（PD）在25°C下为61W，在室温下，热时间常数下的功率损耗限制为2.7W。 5. **温度范围**：工作和存储温度范围宽广，从-55°C到175°C。 6. **散热性能**： - 结点至环境热阻 (RthJA)：典型值为16°C/W，最大值为20°C/W，确保良好的散热。 - 结点至外壳热阻 (RthJC)：TO-251封装，典型值为2°C/W，最大值为2.4°C/W。 7. **封装与安装**：表面安装设计，适用于1"x1" FR4电路板，建议参考安全操作区（SOA）曲线以了解电压降特性。 8. **联系方式**：文档提供了VB半导体公司的客户服务热线（400-655-878），以便用户获取更多支持。 这款CMU12N10-VB N沟道MOSFET是一款适用于初级侧开关应用的理想选择，其紧凑的封装、出色的性能和广泛的温度适应性使其在工业级电源管理、电机控制和其他高电压电子系统中表现出色。在设计和使用时，务必考虑其操作条件和限制，以确保系统的长期稳定运行。