英飞凌 IRLR6225 PbF 功率MOSFET 中文规格手册

IRLR6225是英飞凌(INFINEON)公司的一款高性能功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，特别适用于电池保护开关应用。该芯片采用标准D-PAK封装，具有以下主要特点和优势： 1. **行业标准引脚布局**：IRLR6225采用了通用的引脚设计，确保了多供应商兼容性，简化了现有的表面安装技术(SMT)工艺，降低了制造难度。 2. **兼容性**：这款器件可以轻松地融入现有的电路设计中，减少了系统升级或替换时的复杂性。 3. **环保友好**：IRLR6225符合RoHS规范，不含铅、溴化物和卤素，有利于降低对环境的影响，体现了制造商对可持续发展的承诺。 4. **可靠性增强**：通过工业质量认证（MSL1），该器件在高温环境下仍能保持高性能，提高了系统的长期稳定性。 5. **绝对最大参数**： - VDS (Drain-to-Source Voltage): 设备能够承受的最大 Drain-Source 电压，这对于限制过载和保护电路至关重要。 - VGS (Gate-to-Source Voltage): 可允许的最大 Gate-to-Source 电压，控制了晶体管的导通能力。 - ID (Continuous Drain Current): 在不同温度条件下（如25°C和100°C）下的连续漏极电流，衡量了器件的功率处理能力。 - IDM (Pulsed Drain Current): 在25°C时可承受的脉冲漏极电流，适合短暂高负载情况。 - Power Dissipation: 不同温度下的最大功耗，包括 PD@TC=100°C 的瞬态条件下的热管理设计要点。 - 线性降额因子 (Linear Derating Factor): 随着温度升高，功率处理能力会按一定的比例下降，用于设备的热设计。 6. **温度参数**： - TJ (Operating Junction Temperature): 设备正常工作的最高结温。 - TSTG (Storage Temperature Range): 设备储存时的温度范围，确保在长时间存储后仍能正常工作。 - Soldering Temperature: 焊接时建议的短暂最高温度，10秒内不超过300°C，考虑到热扩散和散热距离（1.6mm）。 IRLR6225是一款适合在电池保护开关等应用中使用的高效、兼容性强且环保的功率MOSFET，其特性使得它在设计中易于集成，同时具备出色的可靠性和热管理性能。在选择和使用时，务必参考规格书中提供的详细数据和注意事项，以确保设备的稳定运行。