SPP04N60C3-VB：高性能N沟道TO220封装MOS管详细参数

"SPP04N60C3-VB是一种N沟道MOS场效应晶体管，采用TO220封装，具有低栅极电荷、增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性，以及全面的电容和雪崩电压及电流特性。该器件符合RoHS指令2002/95/EC的要求。其主要参数包括：最大漏源电压650V，VGS=10V时的导通电阻RDS(on)为1.7Ω，最大栅极电荷Qg为48nC，Qgs为12nC，Qgd为19nC。" SPP04N60C3-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），在电子设备中广泛用于开关和放大功能。它的TO220封装设计使其适用于需要高效散热的应用，比如电源转换、电机驱动、照明控制等。 1. **低栅极电荷Qg**：Qg是影响MOSFET开关速度的关键参数，低Qg意味着较小的驱动电流需求，从而简化了驱动电路的设计，提高了系统的整体效率。 2. **增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐受性**：这些特性确保了MOSFET在高电压、大电流工作条件下仍能保持稳定，同时能够承受快速电压变化（dv/dt）而不会损坏。 3. **电容和雪崩特性**：全面的电容特性（如Ciss、Coss和Crss）对于理解和预测MOSFET在不同工作条件下的行为至关重要。而其雪崩电压和电流能力则表明该器件在过载情况下具备较高的鲁棒性。 4. **RoHS兼容**：符合RoHS指令意味着SPP04N60C3-VB不含有欧盟规定的六种有害物质，有利于环保。 5. **绝对最大额定值**：如表所示，MOSFET的最大漏源电压为650V，门源电压为±30V，连续漏源电流随温度线性下降，最高在25°C时为3.2A，在100°C时为4.2A。脉冲漏源电流最大为18A，单脉冲雪崩能量为325mJ，重复雪崩电流和能量分别为4A和6mJ，最大功率损耗也随温度变化。 6. **热特性**：器件的热特性决定了其在大功率应用中的稳定性。例如，每升高1°C，连续漏源电流会减少0.48%，这有助于评估器件在高温环境下的性能。 SPP04N60C3-VB是一款适合高电压、大电流应用的高性能MOSFET，其低栅极电荷和优秀的耐受性使得它在各种电子系统中表现出色。设计工程师在选择MOSFET时，需要考虑这些特性以确保设备的可靠性和效率。