1Gb DDR3 SDRAM技术规格与特性分析

"本文档介绍了1Gb DDR3 SDRAM内存模块，主要由镁光公司生产。该内存采用双倍数据速率架构，具有高效率和高速度特性。详细规格包括不同封装选项（x4, x8, x16），电压、接口类型、内部银行数量、预取架构、时序参数等，并提到了自刷新模式和工作温度范围。" DDR3 SDRAM，即第三代同步动态随机存取内存，是内存技术的一个重要里程碑。它在DDR2的基础上进行了改进，以提供更高的数据传输速度和更低的功耗。1Gb DDR3内存芯片有多种组织结构，如MT41J256M4（32 Meg x4 x8 Banks）、MT41J128M8（16 Meg x8 x8 Banks）和MT41J64M16（8 Meg x16 x8 Banks），这些不同的型号满足了不同应用场景的需求。 1. **双倍数据速率架构**：DDR3 SDRAM的名称来源于其数据传输机制，即在每个时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据，实现了比DDR2更高的数据传输速率。8n-prefetch架构意味着每个时钟周期内部核心处理8n位宽的数据，而在I/O引脚处则以n位宽进行半时钟周期的数据传输，从而提高了数据吞吐量。 2. **电压与接口**：DDR3的工作电压为1.5V，相比DDR2的1.8V显著降低，有助于减少功耗。I/O接口采用中心终止的推挽式，同时具有差分双向数据 strobe 和差分时钟输入（CK, CK#）。 3. **内部架构**：内存模块包含8个内部银行，这允许并行访问，进一步提高了性能。此外，还包括了对数据、 strobe 和 mask 信号的名义和动态开路终止（ODT）功能。 4. **时序参数**：CAS（读取）延迟（CL）可选5到11个时钟周期，POSTED CAS ADDITIVE latency（AL）可以是0或CL减1或2。CAS（写入）延迟（CWL）基于时钟周期数，范围从5到8。固定突发长度（BL）为8，可通过模式寄存器集（MRS）启用突发切分（BC4）功能。还可以在运行时选择BC4或BL8。 5. **自刷新模式和工作条件**：DDR3支持自刷新模式，可以在不消耗大量系统资源的情况下保持数据完整性。工作温度范围为0°C到95°C，其中在0°C到85°C范围内需要每64毫秒刷新8,192次，在85°C到95°C之间则需每32毫秒刷新一次。 6. **可选功能**：DDR3内存允许用户在运行时动态选择突发长度（BL）为4或8，这称为OTF（On-the-fly）选择，增加了设计的灵活性。 镁光保留更改产品规格的权利，因此用户在实际应用中应参考最新的产品手册以获取最新信息。这些内存模块广泛应用于计算机系统、服务器、网络设备等，为高性能计算提供了坚实的基础。