STN4NF20L-VB N沟道MOSFET元件技术参数

STN4NF20L-VB N沟道MOSFET STN4NF20L-VB是一种N沟道MOSFET，封装在SOT223封装中。该MOSFET具有高频率开关能力、快速开关速度和低导通电阻等特点。 特点 * 动态dv/dt评级 * 重复avalanche评级 * 快速开关速度 * 易于并联 * 简单的驱动要求 最大评级 * 漏极-源极电压（VDS）：200V * 导通电阻（RDS on）：1.2Ω（VGS=10V） * 门控电荷（Qg）：8.2nC * 门- 源极电荷（Qgs）：1.8nC * 门- 漏极电荷（Qgd）：4.5nC * 连续漏极电流（ID）：1.0A（TC=25°C），0.8A（TC=100°C） * 脉冲漏极电流（IDM）：5.0A * 线性衰减系数：0.025W/°C * PCB安装线性衰减系数：0.017W/°C * 单脉冲avalanche能量（EAS）：50mJ * 重复avalanche电流（IAR）：0.96A * 重复avalanche能量（EAR）：0.31mJ * 最大功率耗散（PD）：3.1W 应用 STN4NF20L-VB N沟道MOSFET适用于各种高频率开关电路，例如DC-DC转换器、电源管理电路、电机驱动电路等。该MOSFET的高频率开关能力和快速开关速度使其非常适合高速开关应用。 注意事项 * 在使用STN4NF20L-VB N沟道MOSFET时，需要注意其最大评级，避免超出其评级可能导致MOSFET损坏。 * 在PCB安装时，需要注意MOSFET的热设计，确保MOSFET的工作温度在安全范围内。 * 在设计电路时，需要注意MOSFET的驱动要求，确保驱动电路能够满足MOSFET的驱动需求。 结论 STN4NF20L-VB N沟道MOSFET是一种高性能的MOSFET，具有高频率开关能力、快速开关速度和低导通电阻等特点。该MOSFET非常适合高速开关应用，例如DC-DC转换器、电源管理电路、电机驱动电路等。但是，在使用该MOSFET时，需要注意其最大评级和驱动要求，以确保MOSFET的可靠工作。