P沟道20V SOT23封装MOSFET - NTR4101PT1G-VB详细规格

"NTR4101PT1G-VB是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23封装，适用于低电压、低电阻的应用。这款MOSFET的主要特性包括20V的最大漏源电压（VDS）、在不同栅极电压下的低导通电阻（RDS(on)）、以及不同工作条件下的电流和功率耗散能力。其设计考虑了表面贴装在1"x1"FR4板上，并且满足严格的温度和电气规格。" NTR4101PT1G-VB MOSFET是一款高性能的P沟道MOSFET，其设计主要针对需要高效能和小型化封装的电子设备。该器件的最大漏源电压VDS为-20V，意味着它可以承受高达20V的电压差而不致损坏。导通电阻RDS(on)是衡量MOSFET在导通状态下电阻大小的关键参数，对于NTR4101PT1G-VB，当VGS=-10V时，RDS(on)为0.035Ω，而在VGS=-4.5V时，RDS(on)增加到0.043Ω，VGS=-2.5V时进一步升至0.061Ω。低的RDS(on)值意味着在导通状态下的电压降小，从而降低了电路中的功率损耗。 该器件的连续漏极电流ID在不同温度和条件下有所不同。在25°C下，ID的最大值为-5eA，而在70°C下则为-4.8A。脉冲漏极电流IDM最大可达-18A，而连续源漏二极管电流IS在25°C时为-2.1A。NTR4101PT1G-VB的最大功率耗散在25°C时为2.5W，但随着温度上升，这个值会降低，例如在70°C时，最大功率耗散为1.6W。 MOSFET的热特性也很重要，NTR4101PT1G-VB的典型最大结温到环境的热阻RthJA为75°C/W，最高可达到100°C/W，这表示每增加1W的功率，芯片温度将升高75到100°C。而最大结到脚（漏极）的稳态热阻RthJF为40°C/W至50°C/W，有助于确保器件在高功率应用中保持良好的散热性能。 此外，NTR4101PT1G-VB符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求，这意味着它不含卤素元素，有利于环保并适用于对环保有要求的电子产品。 NTR4101PT1G-VB是一款适用于需要低功耗、小巧封装的P沟道MOSFET，特别适合于电源管理、逻辑切换和驱动电路等应用。其出色的电气特性和紧凑的SOT23封装使其成为许多现代电子设计的理想选择。