Micron DDR3 8MB x8 内存芯片技术规格
"ddr3中文数据手册Micron -MT4LC8M8B6DJ-5" DDR3(Double Data Rate 3)内存是第三代同步动态随机存取内存(DRAM),由Micron Technology公司制造。这份中文数据手册详细介绍了MT4LC8M8B6DJ-5型号的DDR3内存芯片。MT4LC8M8B6DJ-5是一款8兆字节(8 Meg x 8)的浮栅型动态随机存取存储器,采用单电源+3.3V±0.3V供电,符合业界标准的8位引脚布局、时序、功能和封装。 该芯片的主要特点包括: 1. 使用3.3V±0.3V的单电源供电,确保了低功耗和稳定运行。 2. 遵循工业标准的8位I/O接口,具备标准的引脚配置、时序和功能。 3. 有两种地址模式:13行10列(E1)或12行11列(B6),分别对应4,096(4K)行和8,192(8K)行的刷新地址。 4. 采用了高性能的CMOS硅门工艺,确保高速性能。 5. 所有输入、输出和时钟信号都兼容低电压TTL(LVTTL)标准,保证与其他系统的兼容性。 6. 支持快速页模式(FAST PAGEMODE, FPM)访问,提高数据传输速率。 7. 实现4,096次列地址选择前的行地址刷新(CAS#-BEFORE-RAS#, CBR),刷新周期分布于64毫秒内。 8. 提供可选的自我刷新(Self Refresh, S)功能,用于在低功耗状态下保持数据保留。 该手册中还提到了不同的选项和标记: - 刷新地址:4K行(B6)和8K行(E1)的刷新选项。 - 封装类型:32引脚小外形J型封装(SOJ, 400mil)和32引脚薄型小外形封装(TSOP, 400mil)。 - 访问时间:50ns和60ns两种访问速度。 - 刷新率:标准刷新(64ms周期)和自我刷新(128ms周期)两种模式,其中带星号(*)表示自我刷新选项。 值得注意的是,型号中的第五个字段区分了不同选项,E1代表8K刷新,而B6则表示4K刷新。此外,#符号通常用于指示信号的负逻辑。 这份数据手册提供了关于Micron MT4LC8M8B6DJ-5 DDR3内存芯片的全面技术参数,对设计者和工程师来说,是理解和应用这款内存芯片的重要参考资料。
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