Nand Flash读写详解及其实现

"本文档是关于Nand Flash读写操作的详细介绍，主要针对嵌入式开发者，特别是初学者。文档作者蔡于清分享了Nand Flash的工作原理和基本操作，内容涵盖Nand Flash的结构、读写规则以及三星K9F1208U0B芯片的具体参数。" Nand Flash是一种非易失性存储技术，广泛应用于嵌入式系统和移动设备中。它的存储结构类似于硬盘的磁道和扇区，但更简单：Nand Flash被划分为多个Block，每个Block内包含若干个Page。对于特定的三星芯片K9F1208U0B，常见的配置是1 Block等于32 Page，1 Page则包括512字节的数据区域（Data Field）和16字节的额外信息区域（Out-of-Band或Spare Field）。 在Nand Flash的读写操作中，有一些关键点需要理解。首先，读写操作是以Page为单位进行的，而擦除操作则以Block为单位。这意味着在写入新数据之前，必须先擦除整个Block，这是一个比读写更耗时的操作。每个Page的512字节数据区域理论上可以分为两个半部分，每个半部分256字节，通常用于存放用户数据。Spare Field的16字节用于存储校验码等辅助信息，不建议用于常规数据存储。 读取操作有Read1和Read2两个命令。Read1用于读取Data Field的数据，这是主要的数据存储区域；而Read2则用于访问Spare Field，获取校验码或其他附加信息。由于读操作的最小单位是Page，一旦指定了起始位置，就会连续读取整个Page的所有字节。 Nand Flash的容量计算需要考虑Spare Field。尽管每个Page有528字节，但实际可用的存储容量为512字节，因为Spare Field的16字节不用于常规数据存储。对于K9F1208U0B芯片，总共有4096个Block，每个Block有32 Page，因此理论总容量为4096 * (32 * 528) 字节，但实际可用的存储容量为4096 * (32 * 512) 字节，即64MB。 理解和掌握Nand Flash的读写操作是嵌入式开发中的基础技能，这份资料提供了详细的操作指南，对于开发者尤其有价值，有助于解决新手在处理Nand Flash时遇到的困难。