EUV光刻技术进展：2018年版

"Euv Lithography 2018" 《EUV光刻技术》第二版由Vivek Bakshi编辑，是一部详尽介绍极端紫外光刻（EUVL）技术的专业书籍，旨在阐述这一用于制造计算机芯片的关键下一代光刻技术的最新进展。自从2008年SPIE Press首次发布第一版《EUV光刻》以来，EUV光刻在作为193纳米光学光刻的替代技术方面取得了显著的进步。从193纳米向13.5纳米波长的转变是一个巨大的跨越，涉及到光刻技术的多个领域——光源、扫描仪、掩模、掩模处理、光学、光学测量、抗蚀剂、计算、材料以及光学污染控制等，这些挑战已经得到有效解决。 书中涵盖了全球顶尖EUV光刻研究人员的贡献，为实践者和初学者提供了关键信息。随着EUV光刻技术兴趣的增长，这本书提供了一个理解和应用这项激动人心技术的基础。它适用于参与EUV光刻一个或多个方面的人员，以及学生，对于他们来说，这是一本同样有价值的学习资料。 本书包含的内容广泛，详细讨论了EUV光源的开发，这是实现高效率EUV光刻的关键。光源的进步使得更强大的激光能够激发等离子体产生所需的13.5纳米波长的EUV光。此外，EUV扫描仪的设计和优化是另一个核心议题，因为它们需要在极高精度下快速移动和定位掩模与硅片。 在光学部分，书中深入探讨了EUV光学系统的复杂性，包括反射镜的制备和涂层技术，这些对于减少光损失和提高图像质量至关重要。掩模和掩模处理技术也得到详细介绍，因为EUV光刻对掩模的精确度和清洁度要求极其严格。抗蚀剂的研发是另一大挑战，需要找到能够在EUV光下产生清晰图案的新型材料。 在污染控制方面，书中强调了保持系统清洁以防止EUV光束受到污染物干扰的重要性。同时，计算和模拟在EUV光刻中的角色不容忽视，它们有助于预测和优化光刻过程，以实现更精细的芯片设计。 EUV光刻技术的商业化进程也在书中有所体现，几家领先的芯片制造商已经宣布从2018年开始将EUV技术引入大规模生产。这标志着EUV光刻已从研发阶段逐步迈向工业应用。 《EUV光刻》是一部全面的参考资料，对于那些希望深入了解这个前沿科技领域的专业人士和学生来说，它是不可或缺的读物。通过这本书，读者可以获取到EUV光刻技术的最新理论知识和实践经验，从而更好地理解和应对半导体制造业的未来挑战。