超低压CMOS混频器设计对比与性能分析

"超低压CMOS混频器比较设计及特性分析 (2005年)：文章探讨了超低压CMOS混频器的设计，重点对比了基于PMOS衬底驱动技术和CMOS准浮栅技术的两种不同设计方案。在0.8V电源电压下，对于20MHz和100MHz的本征频率以及1GHz和2.4GHz的射频频率，PMOS衬底驱动混频器的转换增益分别为-17.95dB和-8.5dB，三阶输入截点(IIP3)为33.2dB和28.4dB。而当电源电压降低到0.6V时，准浮栅混频器的转换增益变为-14.23dB和-21.8dB，IIP3则提高至35.9dB和34.6dB。研究显示，PMOS衬底驱动混频器具有更大的转换增益，而准浮栅混频器在频率域规格和低电压特性上表现更优，两者在低频应用领域都有较好的适应性。" 这篇论文深入研究了超低压CMOS混频器的技术，这是微电子学中关键的组件，特别是在无线通信和射频系统中。作者首先介绍了PMOS衬底驱动技术，这是一种利用PMOS晶体管的衬底偏置来控制其性能的方法，适用于低电压操作。这种技术的混频器在特定条件下表现出的转换增益和三阶输入截点是衡量其性能的重要指标。 接着，文章转向了CMOS准浮栅技术，这是一种通过浮动门来改善晶体管性能的技术，尤其在低电压环境下，能够提供更好的频率响应。在这种技术的混频器中，尽管转换增益有所下降，但IIP3（三阶交调截点）的提升表明其在处理高动态范围信号时具有更好的线性度。 通过对这两种技术的混频器进行比较，作者得出了它们各自的优势和适用场景。PMOS衬底驱动混频器在转换增益方面占优，适合需要较高增益的系统。而准浮栅混频器则在低电压工作条件下保持了良好的频率特性和线性度，更适合对频率响应有较高要求的高频应用。 论文最后可能还包含了实验结果和仿真数据，这些数据支持了作者的分析结论，进一步证明了两种混频器在不同条件下的性能差异。关键词包括"超低压"、"CMOS"、"混频器"、"PMOS衬底驱动"和"准浮栅"，揭示了研究的主要关注点和技术领域。