APM1403SC-TRL-VB：P沟道20V MOSFET技术规格

"APM1403SC-TRL-VB是一种P沟道MOSFET，采用SC70-3封装，适用于负载开关和DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有无卤素、TrenchFET功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令等特点。其主要参数包括最大20V的漏源电压（VDS）、低至0.080Ω的漏源导通电阻（RDS(on)）在VGS=-4.5V时，以及4.3nC的总栅极电荷（Qg）。此外，该器件的绝对最大额定值包括-3.1A的连续漏极电流（ID）在TJ=150°C和TC=25°C时，以及0.5W的最大功率耗散。" APM1403SC-TRL-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它以小巧的SC70-3（SOT-323）封装形式呈现。这种封装方式适合在空间有限的应用中使用，如便携式电子设备或紧凑型电路设计。TrenchFET技术的运用使得MOSFET的体积更小，同时保持了良好的电气性能。 该MOSFET的关键特性之一是其无卤素的制造工艺，符合IEC61249-2-21标准，这意味着它不含卤化物质，对环境友好。此外，该器件还符合欧盟的RoHS指令（2002/95/EC），表明它是无铅的，并且符合当前的环保规定。 在电气特性方面，APM1403SC-TRL-VB的漏源电压VDS最大为-20V，这意味着它可以处理负向电压。在特定条件下，漏源导通电阻RDS(on)非常低，例如在VGS=-4.5V时仅为0.080Ω，这有助于在开关操作中实现低损耗。总栅极电荷Qg是衡量MOSFET开关速度的一个指标，对于APM1403SC-TRL-VB来说，典型值为4.3nC，这表明它的开关速度快，适合高频应用。 在工作温度范围内，连续漏极电流ID会随温度升高而减小，例如，在TJ=150°C和TC=25°C时，ID分别为-3.1A和-1.4A。脉冲漏极电流IDM可以达到-6A，而连续源漏二极管电流IS为-0.4A。最大功率耗散PD在不同温度下也有所不同，25°C时为0.5W，70°C时为0.3W。 APM1403SC-TRL-VB是一款高效、环保且尺寸紧凑的P沟道MOSFET，适用于需要高开关效率和低功耗的电源管理电路，如负载开关和直流到直流转换器。用户可以通过VBsemi公司的服务热线400-655-8788获取更多产品信息和支持。