Microsemi ProASIC3 FPGA: 高性能、低功耗的闪存技术

"microsemi_proasic3_flash_family_fpgas_datasheet_ds-1592395.pdf 提供了 Microsemi ProASIC3 Flash 系列 FPGA 的详细技术规格和特性，包括其高容量、可重编程的闪存技术、高性能、低功耗以及高级I/O等功能。该数据手册适用于需要在设计中使用 Microsemi ProASIC3 FPGA 的工程师和技术人员参考。" Microsemi ProASIC3 Flash 系列是基于微半导体公司的一款 FPGA (Field-Programmable Gate Array) 家族产品，具有独特的功能和优势，特别适合于需要高性能、低功耗和安全性的应用。以下是对这些特性的详细解析： 1. 高容量： - 设备提供了15,000到1,000,000个系统门，满足了各种复杂设计的需求。 - 提供高达144K比特的真正双端口SRAM，支持高速数据处理和存储。 - 最多300个用户I/O引脚，确保灵活的接口连接。 2. 可重编程的闪存技术： - 基于130纳米7层金属（6铜）的闪存基CMOS工艺，提供了高密度和高速度的集成。 - 支持即时启动（Instant-On Level 0），可以在电源关闭时保留已编程的设计。 - 作为单芯片解决方案，降低了系统复杂性和成本。 3. 高性能： - 实现350MHz的系统性能，可以处理高速信号处理任务。 - 支持3.3V, 66MHz 64位PCI接口，符合工业标准。 4. 在系统编程（ISP）和安全性： - 通过JTAG（遵循IEEE 1532标准）提供ISP功能，但ARM启用的ProASIC3设备除外。 - 内置128位高级加密标准（AES）解密，增强设计的安全性。 - FlashLock功能用于保护FPGA内容不被非法访问或修改。 5. 低功耗： - 采用核心电压降低功耗。 - 支持1.5V-only系统，适应低功耗应用场景。 - 采用低阻抗闪存开关，减少功耗并提高效率。 6. 高性能路由层次结构： - 分段化、分层的路由和时钟结构优化了信号传输速度和整体性能。 7. 高级I/O： - 支持高达700Mbps的DDR和LVDS能力的I/O（A3P250及以上型号）。 - 支持1.5V、1.8V、2.5V和3.3V混合电压操作，增强了系统兼容性。 - 按照JESD8-B标准，供电电压范围广，允许I/O在2.7V至3.6V之间工作，增加了设计灵活性。 这款 FPGA 产品系列的综合特性使其适用于各种领域，包括通信、汽车电子、军事与航空航天以及工业控制等，能够提供高性能、高可靠性和低功耗的解决方案。