2SK2963-VB:100V TrenchFET N沟道MOSFET应用
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更新于2024-08-03
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"2SK2963-VB是一款N沟道SOT89-3封装的MOSFET,适用于DC/DC转换器、升压转换器、负载开关及LED背光照明等领域。该器件采用TrenchFET功率MOSFET技术,具有低RDS(on)和快速开关性能,确保高效能电源管理。"
2SK2963-VB MOSFET是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,设计在SOT89-3封装形式中,适用于各种电子应用,特别是与电源管理相关的电路。其主要特点包括:
1. **TrenchFET技术**:这种技术通过在硅片上挖掘精细的沟槽结构,实现了更小的尺寸和更高的开关速度,同时降低了导通电阻RDS(on),从而提高效率。
2. **低RDS(on)**:在VGS = 10V时,典型RDS(on)仅为0.102欧姆,这允许在高电流运行时保持较低的功耗和更好的热性能。
3. **广泛应用**:2SK2963-VB常用于DC/DC转换器、升压转换器、负载开关以及LCD电视中的LED背光照明等应用,为移动计算设备提供电源管理。
4. **耐压与电流能力**:MOSFET能承受的最大Drain-Source电压VDS为100V,持续的Drain电流ID在不同温度下有所不同,如在25°C时为4.2A,70°C时为3.2A。
5. **脉冲电流能力**:对于短脉冲,如300微秒的IDM,可达到15A的峰值,而单脉冲雪崩电流IAS最高可达3A。
6. **热特性**:最大功率耗散(PD)在25°C时为2.5W,但随着温度升高,这个值会降低,例如在70°C时降至1.6W。这表明必须考虑散热设计以确保MOSFET在高温环境下正常工作。
7. **安全操作区**:MOSFET的工作结温范围从-55°C到150°C,存储温度也在此范围内,确保了在各种环境条件下的可靠性。
8. **其他规格**:还包括门极-源极电压VGS的绝对最大额定值为±20V,以及连续源-漏二极管电流IS的限制等。
2SK2963-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于需要高效率、低损耗和紧凑封装的应用。设计工程师在使用这款MOSFET时,应充分考虑其电气特性和热管理,以确保电路的稳定性和可靠性。
2023-12-29 上传
2024-10-23 上传
微碧VBsemi
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