Samsung LPDDR3 K4E6E304EE-EGCE 技术规格说明书

"Samsung K4E6E304EE-EGCE是一款低功耗双倍数据速率3（LPDDR3）内存芯片，封装为178球BGA封装。此文档可能包含产品规格、设计指南和其他相关技术信息。" 本文档详细介绍了Samsung Electronics的K4E6E304EE-EGCE LPDDR3内存芯片，该芯片是专为高效能、低功耗应用设计的。LPDDR3是DDR3内存的一个变种，特别优化了移动设备的电源效率，适用于智能手机、平板电脑和其他电池供电的设备。 LPDDR3的主要特性包括： 1. **数据速率**：LPDDR3的数据传输速度相较于LPDDR2有所提升，提供更快的内存带宽，支持更高的系统性能。具体的数据速率可能因芯片型号而异，但通常在1600Mbps到2133Mbps之间。 2. **178球BGA封装**：K4E6E304EE-EGCE采用178球球栅格阵列（BGA）封装，这种封装方式有利于减少电路板空间，提高集成度，并降低功耗。 3. **低电压操作**：LPDDR3内存设计用于低电压工作，通常在1.35V或1.5V，相比标准DDR3的1.5V至1.65V显著降低了电源消耗，延长了移动设备的电池寿命。 4. **节能模式**：LPDDR3支持多种节能模式，如自刷新、深度睡眠和关闭模式，这些模式可以在不使用内存时降低功耗。 5. **多bank操作**：LPDDR3内存芯片通常具有多个内部bank，可以同时处理多个数据访问请求，提高了并发处理能力，进一步优化了系统性能。 6. **可靠性与安全性**：Samsung的产品通常会经过严格的测试，确保其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。尽管如此，文档强调产品并非设计用于生命支持、医疗、安全设备等关键应用，因为这些领域的设备对产品故障容忍度极低。 7. **知识产权声明**：Samsung保留更改产品和规格的权利，且提供的所有信息都是“按原样”提供，无任何明示或暗示的保证。同时，文档中的信息并不授予任何专利、版权、掩模作品、商标或其他知识产权的许可。 8. **技术支持**：对于Samsung产品的更新或更多信息，用户应联系最近的Samsung办事处获取。 9. **品牌与商标**：文档中提及的所有品牌名称、商标和注册商标均为各自所有者的财产。 最后，文档强调Samsung的产品不适用于可能导致生命或身体伤害的生命支持、关键医疗设备，或者军事和国防应用等特殊领域，这些领域可能需要遵循特定的采购条款或规定。用户在选用产品时应考虑其适用的合规性和应用场景。