1.35V DDR3L SDRAM 内存规格与特性

"2Gb_1_35V_DDR3 RAM内存资料" DDR3L SDRAM是一种低电压版本的DDR3 SDRAM，专为降低功耗而设计。在本资料中，我们关注的是运行电压为1.35V的内存芯片，它们包括三种不同规格：MT41K512M4（64 Meg x4 x8 banks），MT41K256M8（32 Meg x8 x8 banks）和MT41K128M16（16 Meg x16 x8 banks）。这些器件的设计在1.5V兼容模式下也能正常工作，这意味着它们与传统的1.5V DDR3 SDRAM具有向后兼容性。 关键特性： 1. **电压**：VDD 和 VDDQ 均为1.35V（工作范围1.283V到1.45V），这显著降低了设备的功耗。 2. **双向差分数据 strobe**：这种设计提高了数据传输的稳定性和速度。 3. **8n位预取架构**：内存单元内部采用8倍数据预取，提升了数据处理效率。 4. **差分时钟输入**：使用CK和CK#两个差分时钟信号，确保了时钟信号的清晰和准确。 5. **8个内部银行**：增加了并发操作的可能性，提高了内存访问效率。 6. **动态开/关输出阻抗** (ODT)：针对数据、strobes和mask信号，支持动态调整，优化信号质量。 7. **可编程CAS延迟**：包括读取延迟(CL)、附加延迟(AL)和写入延迟(CWL)，可以根据系统需求进行调整。 8. **固定突发长度**：默认设置为8（BL8）和突发切分（BC4），可以通过模式寄存器集(MRS)进行配置。 9. **飞行中选择BL4或BL8**：允许在运行时动态调整突发长度。 10. **自刷新模式**：当系统待机时，内存可以自动进入自刷新状态，以保持数据完整性。 11. **工作温度范围**：0°C至+95°C，根据温度变化有相应的刷新周期。 12. **自刷新温度（SRT）** 和 **自动自刷新（ASR）**：根据环境温度自动调整自刷新策略。 13. **写入校准**：确保数据写入时的精确对齐。 14. **多功能寄存器**：用于存储和控制各种内存设置。 15. **输出驱动校准**：优化输出信号的强度和时序。 选项方面，内存芯片有不同的配置标记，如512M4表示512兆字节x4位宽的配置。此外，还有256M8和128M16的配置，分别对应不同的内存容量和位宽，满足不同应用场景的需求。 总结来说，2Gb_1_35V_DDR3内存是针对低功耗应用设计的高效能内存解决方案，具备多种高级功能和可编程特性，确保了高速、稳定的系统性能，同时有效降低了能耗。这些特性使其成为现代计算机系统，尤其是移动设备和节能型服务器的理想选择。