CEM6188-VB：2通道高效率60V N沟道SOP8封装MOSFET特性与应用

CEM6188-VB是一种高性能的双N沟道SOP8封装MOSFET，它由Trench FET®技术制成，旨在提供高效率和可靠性在各种应用中。这款器件具有以下主要特点： 1. **环保特性**：根据IEC 61249-2-21标准，该MOSFET不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC，确保了对环境友好的设计。 2. **性能参数**： - **耐压**：最大 Drain-Source Voltage (VDS) 达到60V，确保了在高压条件下稳定工作。 - **开关特性**：在VGS = 10V时，典型值下的RDS(on)为0.012Ω，而在VGS = 4.5V时，这一数值降低至0.015Ω，显示出优秀的开关速度和低导通电阻。 - **电流能力**：连续工作电流（TC=25°C）为ID=10A，而在不同温度下略有下降，例如在70°C时，ID会减少。 - **脉冲电流和能量处理**：单脉冲avalanche电流（IAS）为30A，能承受的单脉冲avalanche能量（EAS）为55mJ，表明它适合于短时间的过载条件。 - **散热和功率限制**：在25°C下，最大功率耗散为2.7W，而在70°C时，这个限制会增加至4.77W，以防止过热。 3. **封装和应用**：CEM6188-VB采用紧凑的SO-8封装，便于在小型化和空间受限的应用中使用，如Set-Top Box和低电流DC/DC转换器。它适合表面安装，可以直接焊接到1"x1" FR4板上。 4. **测试与质量保证**：100%的UISTest（未知输入短路测试）和RgTest（寄生电阻测试）保证了产品的质量一致性，同时符合RoHS标准。 5. **注意事项**： - 产品特性在指定温度条件下，如TC=25°C，超出此范围可能会影响性能。 - 需要注意的是，这些参数是在10秒（t=10s）的脉宽内测量的，且最大瞬态条件下的温度限制为110°C/W。 CEM6188-VB是一款适用于对耐压、效率和小型化有高要求的电子设备中的关键组件，特别适合那些对环保和可靠性有严格要求的应用场合。在使用过程中，务必确保按照制造商提供的参数和指导进行操作，以充分发挥其性能潜力。