STM32L15x11: 128KB Flash与4KB EEPROM功能详解

本文档详细介绍了STM32L15x11单片机的Flash和EEPROM特性以及相关的操作。STM32L15x11是一款针对嵌入式应用设计的微控制器，它集成了高性能的存储器，对数据安全性和可靠性有较高要求。 首先，存储区是STM32L15x11的核心组成部分，包括以下几个部分： 1. **内置Flash**: STM32L15x11提供了一个内置的Flash存储器，容量高达128K字节，支持错误检测和纠正(ECC)功能，提高了数据的完整性。Flash被划分为多个页和扇区，页擦除时间为3.2ms，而整片擦除则需9.6ms。编程时间根据不同范围，最快可达3.2ms。此外，Flash接口FLITF支持预取指缓冲的读操作，以及OptionBytes的装载，具备多层读保护（如Level1和Level2 JTAGFuse）和写保护功能。 2. **数据EEPROM**: 该设备还配备了一款数据EEPROM，容量高达4K字节，同样支持ECC。数据EEPROM支持不同数据长度的写入操作，包括双字、字、半字和字节级别。 3. **信息块**: 除了Flash和EEPROM，还有4K+16字节的信息块区域，用于存储非易失性数据。 4. **存储区结构**：存储区按照功能划分，例如主Flash、数据EEPROM、信息块，以及分页和分块的结构。选项字节区域(OptionBytes)位于特定地址，用于配置和管理微控制器的不同功能。 5. **低功耗操作**: STM32L15x11允许在低功耗模式下工作，此时Flash可以在不消耗大量电能的情况下执行写操作。但复位后，所有存储区默认处于保护状态，需要先解锁才能进行写入或擦除。 6. **内存操作**: Flash主要支持字(32位)快速写入和半页(128字节)写入，以及页擦除。数据EEPROM支持更精细粒度的写入，如双字、字、半字和字节级别的操作。 STM32L15x11的Flash和EEPROM提供了强大的存储解决方案，适用于对存储性能、数据保护和低功耗需求高的嵌入式项目。理解这些特性和操作对于开发基于STM32L15x11的应用程序至关重要。