AFN4546WS8RG-VB：SOP8封装N-Channel MOSFET技术规格

"AFN4546WS8RG-VB是一款采用SOP8封装的N-Channel场效应MOS管，适用于同步整流、电源管理（POL, IBC - Secondary Side）等应用。该器件具有低电阻、快速开关以及符合RoHS标准的特点。" AFN4546WS8RG-VB是VB Semiconductor公司生产的一款N-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特性包括40V的额定漏源电压（VDS）和10A的连续漏极电流（ID）。该MOSFET采用先进的TrenchFET技术，这使得它具有更低的电阻和更小的封装尺寸。在特定条件下，其漏源导通电阻（RDS(on)）仅为14毫欧，当栅极电压VGS为10V或20V时。 在电气参数方面，这款MOSFET的最大栅极-源极电压（VGS）为正负20V。它经过了100%的Rg测试和UIS测试，确保了良好的栅极绝缘性能和雪崩耐受能力。此外，AFN4546WS8RG-VB符合无卤素（Halogen-free）的IEC61249-2-21标准，符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。 在应用上，AFN4546WS8RG-VB适合用于同步整流，这是高效电源转换中的关键组件，能够减少损耗，提高效率。此外，它也适用于电源管理单元（POL）和集成电路（IBC）的次级侧，如直流-直流转换器的二次侧同步整流器。 产品摘要提供了更详细的技术规格，包括在不同温度下的最大连续漏极电流ID，例如在25°C和70°C时的值。此外，还给出了脉冲漏极电流IDM、雪崩电流IAS、能量和瞬态热阻等参数，这些参数对于评估MOSFET在实际电路中的热稳定性和耐用性至关重要。在使用时，应确保不超过最大功率耗散限制，以防止过热。 AFN4546WS8RG-VB是一款高性能、环保且适用于多种电源应用的N-Channel MOSFET，其设计考虑了效率、可靠性和兼容性，使其成为电源解决方案的理想选择。