全桥ZVS-PWM变换器分析与设计:200W DC/DC转换器

4 下载量 36 浏览量 更新于2024-08-30 收藏 222KB PDF 举报
"本文主要探讨了电源技术中的全桥ZVS-PWM变换器的分析与设计,特别是针对移相控制的ZVS-PWM谐振电路拓扑进行了详细研究,旨在解决传统PWM变换器存在的软开关范围限制和设计复杂性问题。文章设计了一个输出功率为200W的DC/DC变换器,适用于各种领域的应用需求。" 全桥ZVS-PWM变换器是电源技术中的一个重要组成部分,它结合了零电压开关(ZVS)和脉宽调制(PWM)的优点,能够实现高效、低损耗的能量转换。ZVS技术允许开关器件在零电压条件下切换,从而减少开关损耗,提高整体转换效率。而PWM则是通过调整开关脉冲的宽度来控制输出电压平均值,实现精确的稳压控制。 在电路原理方面,全桥ZVS-PWM变换器由四只参数相同的功率MOSFET开关管(S1, S2, S3, S4)组成,它们分别连接到输入直流电压Vin。为了防止桥臂间的直通短路,S1和S3,S2和S4之间设置了死区时间△t,同时,通过调节S1和S4,S2和S3之间的驱动信号移相角α,可以改变输出电压,达到稳压目的。Lf和Cf构成的倒L型滤波电路则用于平滑输出电压,降低纹波。 文章进一步分析了变换器的工作模态,主要包括以下几个阶段:原边电流正半周功率输出过程中,S1和S4在t0之前导通,t0到t1期间保持导通状态,S2和S3截止;在t1到t2阶段,S1和S4开始关闭,而S2和S3逐渐导通,电流开始从副边流向原边;t2到t3期间,S2和S3完全导通,S1和S4完全截止,电流在变压器初级侧反向流动;最后,t3到t0,S2和S3逐渐关闭,S1和S4再次导通,电流回流至负载,完成一个完整的开关周期。 在分析中,作者假设了理想的开关条件,忽略了开关器件的正向压降、开关时间,以及变压器和线路中的寄生电阻等因素,以简化计算和理解。此外,假设所有开关管的输出结电容相等,并且滤波电感足够大,以减小输出电压的波动。 全桥ZVS-PWM变换器的设计优化了传统的PWM变换器,不仅扩展了软开关的范围,降低了开关损耗,还简化了输出滤波器的设计,提高了系统的整体性能。这样的变换器适用于高效率、高功率密度的电源系统,尤其在电力电子、通信设备、电动汽车等领域有广泛的应用前景。
2019-07-23 上传
ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。