Android App安全加固：存储器编程详细步骤与规范解读

在Android应用安全加固的过程中，存储器编程是一项关键环节。本文档详细阐述了针对PIC12F/LF1822/PIC16F/LF1823系列采用nanoWatt XLP技术的8/14引脚闪存单片机的存储器编程要求。这些要求主要包括以下几个方面： 1. **程序存储器编程规范**： - VIHH/MCLR/VPP/RA5引脚上的电压需在8.0至9.0伏之间，适用于标准工作条件，即-40°C至+125°C。 - 在批量擦除期间，VDD电压应在2.7至VDD的大范围内。 - 擦除/写操作时，MCLR/VPP的电流最大为1.0mA，VDD的电流最大为5.0mA。 2. **数据EEPROM存储器**： - 字节耐擦写次数为100K次至无限次，取决于温度范围（-40°C至+85°C）。 - 读/写操作的VDD电压范围，通常需在VDD上下限之间。 - 擦除/写周期时间为4.0至5.0毫秒，而特性保持时间长达20年。 3. **闪存程序存储器**： - 单元耐擦写能力为10K次至无限次，同样受温度影响。 - 读操作时的VDD电压范围。 - 自定时写周期时间，以及特性保持时间较长，一般为40年。 4. **注意事项**： - 对于MPLAB ICD 2编程，需外部电路限制VPP电压，因为它不支持可变VPP输出。 - 文档强调了英文版的权威性，中文版仅作为辅助理解工具，对于产品性能和使用细节，应参照英文文档。 5. **责任声明**： - Microchip Technology Inc.对翻译可能存在的误差不承担责任，并推荐用户查阅英文原版。 - 信息仅供参考，应用时需确保符合技术规范，购买者自行承担风险，Microchip对信息的适用性和后果不作任何保证。 6. **知识产权和商标**： - 文档提及Microchip的多个商标，如dsPIC、PIC、MPLAB等，均为Microchip的注册商标，未经授权不得转让或复制。 这篇文档对于开发人员在实际项目中进行PIC单片机的存储器编程时，提供了详细的硬件规格和技术指导，确保应用程序的安全性和稳定性。在进行任何操作之前，了解并遵循这些编程要求至关重要。