Android App安全加固:存储器编程详细步骤与规范解读
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更新于2024-08-10
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在Android应用安全加固的过程中,存储器编程是一项关键环节。本文档详细阐述了针对PIC12F/LF1822/PIC16F/LF1823系列采用nanoWatt XLP技术的8/14引脚闪存单片机的存储器编程要求。这些要求主要包括以下几个方面:
1. **程序存储器编程规范**:
- VIHH/MCLR/VPP/RA5引脚上的电压需在8.0至9.0伏之间,适用于标准工作条件,即-40°C至+125°C。
- 在批量擦除期间,VDD电压应在2.7至VDD的大范围内。
- 擦除/写操作时,MCLR/VPP的电流最大为1.0mA,VDD的电流最大为5.0mA。
2. **数据EEPROM存储器**:
- 字节耐擦写次数为100K次至无限次,取决于温度范围(-40°C至+85°C)。
- 读/写操作的VDD电压范围,通常需在VDD上下限之间。
- 擦除/写周期时间为4.0至5.0毫秒,而特性保持时间长达20年。
3. **闪存程序存储器**:
- 单元耐擦写能力为10K次至无限次,同样受温度影响。
- 读操作时的VDD电压范围。
- 自定时写周期时间,以及特性保持时间较长,一般为40年。
4. **注意事项**:
- 对于MPLAB ICD 2编程,需外部电路限制VPP电压,因为它不支持可变VPP输出。
- 文档强调了英文版的权威性,中文版仅作为辅助理解工具,对于产品性能和使用细节,应参照英文文档。
5. **责任声明**:
- Microchip Technology Inc.对翻译可能存在的误差不承担责任,并推荐用户查阅英文原版。
- 信息仅供参考,应用时需确保符合技术规范,购买者自行承担风险,Microchip对信息的适用性和后果不作任何保证。
6. **知识产权和商标**:
- 文档提及Microchip的多个商标,如dsPIC、PIC、MPLAB等,均为Microchip的注册商标,未经授权不得转让或复制。
这篇文档对于开发人员在实际项目中进行PIC单片机的存储器编程时,提供了详细的硬件规格和技术指导,确保应用程序的安全性和稳定性。在进行任何操作之前,了解并遵循这些编程要求至关重要。
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马运良
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