TI TPS659101A1RSL PMU数据手册：集成电源管理单元
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更新于2024-07-23
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"TPS659101A1RSL(PMU).pdf数据手册提供了关于TPS65910系列电源管理单元(PMU)的详细信息，该系列适用于多种ARM处理器核心，包括三星的S5PV210和飞思卡尔的IMX51。此PMU设计用于便携式和手持系统，特别是那些基于OMAP3平台的设备。"
TPS65910系列是德州仪器(TI)推出的一系列高度集成的电源管理集成电路，适用于需要多路电源轨的设备。这个系列包括多个型号，如TPS65910、TPS65910A、TPS659101至TPS659109，每个型号可能具有特定的功能优化或性能差异。
该PMU的主要特点包括：
1. **高效能降压DC-DC转换器**：该装置内含两个针对处理器核心的高效降压转换器，能够提供优化的电源效率，确保处理器在各种工作负载下的性能与能效。
2. **I/O降压DC-DC转换器**：此外，它还配备了一个专门用于I/O接口的降压转换器，确保I/O电路的稳定供电。
3. **升压5V DC-DC转换器**：对于需要从单个锂离子或锂聚合物电池细胞或3系列镍氢电池供电的系统，TPS65910提供了一个升压转换器，可以将电压提升到5V，满足系统对高电压的需求。
4. **智能反射(Smart Reflex)兼容动态电压管理**：这是一项先进的电源管理技术，能够根据处理器的工作状态实时调整电压，以降低功耗并提高系统稳定性。
5. **八路低 dropout线性稳压器(LDO)**：LDOs能够提供稳定的电压输出，确保系统中各个部分的电压精确且无噪声，适用于对电源质量敏感的组件。
6. **应用领域**：TPS65910适用于便携式和手持设备，例如智能手机、平板电脑、PDA以及嵌入式系统，这些设备通常需要精细的电源管理和高效的能源利用。
TPS65910系列PMU是为高性能、低功耗的移动设备设计的，它通过其一系列的电源转换器和LDOs，确保了系统电源的高效分配和优化。此外，通过与Smart Reflex技术的结合，它能够实现动态电压调整，进一步提高了电池寿命和整体系统性能。用户可以访问www.ti.com获取更多样片信息和详细规格。
TPS65910, TPS65910A, TPS659101, TPS659102, TPS659103
TPS659104, TPS659105, TPS659106, TPS659107, TPS659108, TPS659109
www.ti.com
SWCS046K –MARCH 2010– REVISED OCTOBER 2011
VDD1 SMPS
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
Input voltage (VCC1 and VCC7) V
IN
I
OUT
≤ 1200 mA 2.7 5.5
V
OUT
= 0.6 V to 1.5 V, VGAIN_SEL = 00, V
OUT
+ 2
5.5
I
OUT
> 1200 mA V V
2.5 V ≤ V
OUT
≤ 3.3 V, VGAIN_SEL = 10 or 11,
4.5 5.5
I
OUT
> 1200 mA
DC output voltage (V
OUT
) VGAIN_SEL = 00, I
OUT
= 0 to I
OUTmax
:
max programmable voltage, SEL[6:0] = 1001011 1.5
default voltage, BOOT[1:0] = 00 –3% 1.2 +3%
default voltage, BOOT[1:0] = 01 –3% 1.2 +3% V
min programmable voltage, SEL[6:0] = 0000011 0.6
SEL[6:0] = 000000: power down 0
VGAIN_SEL = 10, SEL = 0101011 = 43, I
OUT
= 0
–3% 2.2 +3% V
to I
OUTmax
VGAIN_SEL = 11, SEL = 0101000 = 40, I
OUT
= 0
–3% 3.2 +3% V
to I
OUTmax
DC output voltage programmable
VGAIN_SEL = 00, 72 steps 12.5 mV
step (V
OUTSTEP
)
Rated output current I
OUTmax
ILMAX = 0, default 1000 mA
ILMAX = 1 1500
P-channel MOSFET V
IN
= V
INmin
300
mΩ
On-resistance R
DS(ON)_PMOS
V
IN
= 3.8 V 250 400
P-channel leakage current V
IN
= V
INmax
, SW1 = 0 V 2 µA
I
LK_PMOS
N-channel MOSFET V
IN
= V
MIN
300
mΩ
On-resistance R
DS(ON)_NMOS
V
IN
= 3.8 V 250 400
N-channel leakage current I
LK_NMOS
V
IN
= V
INmax
, SW1 = V
INmax
2 µA
PMOS current limit (high-side) V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILMAX = 0 1150
mA
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILMAX = 1 2000
NMOS current limit (low-side) Source current load:
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILMAX = 0 1150
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILMAX = 1 2000
mA
Sink current load:
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILMAX = 0 1200
V
IN
= V
INmin
to V
INmax
, ILMAX = 1 2000
DC load regulation On mode, I
OUT
= 0 to I
OUTmax
20 mV
DC line regulation On mode, V
IN
= V
INmin
to V
INmax
20 mV
Transient load regulation V
IN
= 3.8 V, V
OUT
= 1.2 V
I
OUT
= 0 to 500 mA , Max slew = 100 mA/µs 50 mV
I
OUT
= 700 mA to 1.2A , Max slew = 100 mA/µs
t on, off to on I
OUT
= 200 mA 350 µs
From V
OUT
= 0.6 V to 1.5 V and V
OUT
= 1.5 V to
Output voltage transition rate
0.6 V I
OUT
= 500 mA
TSTEP[2:0] = 001 12.5
TSTEP[2:0] = 011 (default) 7.5 mV/µs
TSTEP[2:0] = 111 2.5
Overshoot SMPS turned on 3%
0.025 ×
Power-save mode ripple voltage Pulse skipping mode, I
OUT
= 1 mA V
PP
V
OUT
Switching frequency 3 MHz
Copyright © 2010–2011, Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback 15
Product Folder Link(s): TPS65910 TPS65910A TPS659101 TPS659102 TPS659103 TPS659104 TPS659105
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