嵌入式系统中的Nand-Flash、Nor-Flash与SDRAM详解

本章节主要介绍了嵌入式系统中广泛应用的三种新型存储器：Nand-Flash、Nor-Flash和SDRAM。存储器技术的发展推动了随机存取RAM（如SRAM和DRAM）与只读ROM的界限模糊，出现了混合型存储器，以满足不断增长的需求。 Nand-Flash和Nor-Flash是两种主流的闪存技术。NOR-Flash由Intel公司在1988年引入，最初设计用于高效的数据存储，其特点是工作电压低、读取速度快、功耗低和稳定性强。相比之下，NAND-Flash由东芝在1989年开发，起初针对数据存储需求，以其快速写回速度和紧凑的芯片尺寸而著称，尤其是在大容量存储方面有显著优势。NAND-Flash的寻址方式较为复杂，需要多次寻址才能定位单个字节，导致随机读写速度较慢。然而，随着技术进步，NAND-Flash在连续读写性能上逐渐接近NOR。 NOR-Flash由于其独特的优点，如直接寻址和较低的成本，常被用于需要高速访问和执行代码的场景，比如移动电话。然而，由于成本问题，NOR-Flash的容量扩展相对困难，而NAND-Flash凭借其性价比更高，在容量提升上更为常见。 另一方面，随机存取存储器RAM，如SRAM和DRAM，是易失性存储器，数据在断电后会丢失。它们的优势在于高速的随机读写能力，无需预先擦除就能写入数据，这使得它们在嵌入式系统中扮演着关键角色，如存储数据区和堆栈区，提供快速的数据处理和运算空间。 总结来说，NAND-Flash和NOR-Flash作为新一代存储器，各自有着独特的应用场景和性能特点。理解它们的内部架构、寻址机制以及优缺点，对于嵌入式系统设计者来说至关重要，能帮助他们做出最佳的存储器选择。同时，RAM的快速存取特性使其在实时性要求高的环境中不可或缺。