嵌入式系统中的Nand-Flash、Nor-Flash与SDRAM详解

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本章节主要介绍了嵌入式系统中广泛应用的三种新型存储器:Nand-Flash、Nor-Flash和SDRAM。存储器技术的发展推动了随机存取RAM(如SRAM和DRAM)与只读ROM的界限模糊,出现了混合型存储器,以满足不断增长的需求。 Nand-Flash和Nor-Flash是两种主流的闪存技术。NOR-Flash由Intel公司在1988年引入,最初设计用于高效的数据存储,其特点是工作电压低、读取速度快、功耗低和稳定性强。相比之下,NAND-Flash由东芝在1989年开发,起初针对数据存储需求,以其快速写回速度和紧凑的芯片尺寸而著称,尤其是在大容量存储方面有显著优势。NAND-Flash的寻址方式较为复杂,需要多次寻址才能定位单个字节,导致随机读写速度较慢。然而,随着技术进步,NAND-Flash在连续读写性能上逐渐接近NOR。 NOR-Flash由于其独特的优点,如直接寻址和较低的成本,常被用于需要高速访问和执行代码的场景,比如移动电话。然而,由于成本问题,NOR-Flash的容量扩展相对困难,而NAND-Flash凭借其性价比更高,在容量提升上更为常见。 另一方面,随机存取存储器RAM,如SRAM和DRAM,是易失性存储器,数据在断电后会丢失。它们的优势在于高速的随机读写能力,无需预先擦除就能写入数据,这使得它们在嵌入式系统中扮演着关键角色,如存储数据区和堆栈区,提供快速的数据处理和运算空间。 总结来说,NAND-Flash和NOR-Flash作为新一代存储器,各自有着独特的应用场景和性能特点。理解它们的内部架构、寻址机制以及优缺点,对于嵌入式系统设计者来说至关重要,能帮助他们做出最佳的存储器选择。同时,RAM的快速存取特性使其在实时性要求高的环境中不可或缺。