光刻胶中预曝光机UVES原理

UVES是一种常用于光刻胶预曝光的设备，其原理是利用紫外线照射光刻胶，使其在未光刻前形成交联结构，从而提高其耐蚀性和耐溶剂性。

UVES中使用的紫外线源通常是汞灯或卤素灯，其波长范围为250-450纳米。在预曝光过程中，光刻胶薄膜被紫外线照射一定时间后，未形成的交联结构会被化学剂去除，只留下交联的部分。这样，在后续的光刻过程中，被照射到的部分会被溶解掉，而未被照射到的部分则形成所需的图形。

UVES预曝光机的控制系统可以根据所需的图形形状和大小，调整紫外线照射的时间和强度，从而实现定制化的光刻胶预曝光。