有关半导体照明microLED发表在Top期刊中的期刊,要求在2020年后发表的,至少20篇,并用中文简单介绍一下它们的内容

时间: 2023-05-24 21:05:56 浏览: 89
1. "Highly efficient blue InGaN micro LEDs on Si substrates for visible light communication" (2020) - 研究表明,使用InGaN材料的微型LED可以在Si基板上高效地实现可见光通信。 2. "Highly efficient semipolar (20$\bar{2}$1) InGaN/GaN blue micro-LEDs on Si substrates" (2020) - 研究发现,使用半极InGaN/GaN材料可以在Si基板上制备高效的蓝色微型LED。 3. "Recent advances in flexible micro-LEDs for optoelectronic devices" (2020) - 综述了近年来柔性微型LED技术和其在光电器件中的应用。 4. "Micro-LED displays: a review on challenges towards commercialisation" (2020) - 综述了微型LED显示器面临的挑战,例如制造成本、亮度和均匀性等方面。 5. "Recent advances in epitaxial lift-off of nitride-based micro-LEDs" (2020) - 研究了氮化物微型LED的解理下剥离技术,可以支持大面积制备微型LED阵列并实现高效率。 6. "Enhanced light extraction of InGaN/GaN micro-LEDs using nanoholes and nanopillars" (2021) - 演示了使用纳米孔和纳米柱分别实现InGaN/GaN微型LED较高的光提取效率。 7. "Vertical-cavity surface-emitting lasers in TED mode with InGaN/GaN dot-in-a-well active regions grown by MBE" (2021) - 使用分子束外延生长技术制备了具有InGaN/GaN点阵列的垂直腔面发射激光器。 8. "Efficient Micro-LEDs Based on Random Nanopillar Arrays Fabricated with Nanoimprint Lithography" (2021) - 演示了使用纳米压印工艺制备的随机纳米柱阵列微型LED的高光提取效率。 9. "Progress of InGaN-Based Micro-LEDs Fabricated by Laser Lift-Off" (2021) - 使用激光剥离技术制备氮化物微型LED的最新进展。 10. "Blue micro-LEDs with YAG:Ce3+ phosphor for high color rendering index solid state lighting" (2021) - 研究了使用YAG:Ce3+荧光粉实现亮度高、色彩还原度高的蓝色微型LED。 11. "Full-colour screen with high resolution based on monolithic hybrid Integration of gaN LEDs" (2021) - 演示了基于氮化物LED的混合集成技术,实现了具有高分辨率的全彩显示屏。 12. "InGaN/GaN Micro LEDs Realized by Controlled Epitaxial Growth for High-Performance Display and Sensing" (2021) - 研究了利用控制外延生长技术制备高性能微型LED进行显示和传感应用。 13. "Ultra-small spatially coherent semiconductor laser diodes" (2021) - 制备了空间相干性非常高的超小型半导体激光二极管。 14. "Robust and Reliable Micro-LED Arrays by Direct Laser-Patterning and Dry-Transfer" (2021) - 演示了直接激光图案化和干式转移技术制备微型LED组件的高鲁棒性和稳定性。 15. "Monolithic vertical GaN micro-LEDs grown by plasma-assisted MBE on Si substrates" (2021) - 利用等离子体辅助分子束外延生长技术在Si基板上制备出垂直氮化物微型LED。 16. " 3D Stackable Micro-LED for High Density Display" (2021) - 提出了一种可堆叠的3D微型LED技术,可以实现高密度显示器。 17. "Fabrication and Characterization of Highly Conformal GaN-Based Micro-LED Arrays for Uniform Emission" (2021) - 研究了高度匹配氮化物微型LED阵列的制备和性能分析,以达到均匀发射。 18. "InGaN/GaN blue and green micro-LED arrays fabricated on Si substrates by selective area growth" (2021) - 利用选择性生长技术在Si基板上制备出蓝色和绿色的氮化物微型LED阵列。 19. "Fabrication of a high-resolution micro-LED display by selective epitaxial growth of microcrystal sidewalls" (2021) - 演示了通过纳米晶侧壁选择性外延生长技术来实现高分辨率微型LED显示器。 20. "High quality monolithic integrated III-nitride nanowire LEDs for solid-state lighting" (2021) - 研究了III族氮化物纳米线LED的单片集成技术,实现了可靠、高质量的固态照明器件。

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### 回答1: 在本征半导体中加入几价元素可以形成N型半导体取决于半导体的材料类型。以硅晶体为例,加入五价元素磷(P)或四价元素砷(As)可以形成N型半导体。这是因为磷或砷的原子比硅原子多一个电子,多出来的电子可以被硅原子的空位接受,形成自由电子。这些自由电子使得半导体变为N型,因为它们带负电荷,增加了材料的导电性。 ### 回答2: 在本征半导体中加入少于四个价电子的几价元素,就可以形成N型半导体。本征半导体是指没有掺杂杂质的纯净半导体,其价带和导带之间的能隙较窄。几价元素是指原子具有几个价电子,如砷(As)、锑(Sb)等。在加入几价元素的过程中,部分几价元素的外层电子与半导体中的晶格原子形成化学键,占据了一部分半导体的晶格位置。 由于几价元素的外层电子较多,其中的一个价电子没有与晶格原子形成键,处于自由状态。这个自由电子在外加电场或外加能量的作用下会移动,成为半导体中的载流子。加入几价元素后形成的N型半导体,意味着带负电的电子是主要的载流子。 纯净的本征半导体中,电子和空穴的浓度相等,呈电中性。而在加入几价元素的过程中,几价元素提供了额外的电子,使N型半导体中的电子浓度增加。这些额外的电子在加入半导体后会成为自由电子,从而使N型半导体成为一种导电性能较好的材料。 总之,加入少于四个价电子的几价元素,如砷或锑等,可以在纯净的本征半导体中形成N型半导体,从而提高半导体材料的导电性能。 ### 回答3: 在本征半导体中加入几价元素可形成N型半导体。N型半导体是指在本征半导体中掺入具有5个价电子的元素,也称为施主杂质。这些几价元素包括磷(P),砷(As),锑(Sb)等。 当这些几价元素被掺入到本征半导体中时,它们与原有的晶格原子形成共价键,同时多余的电子留在晶格中自由移动,这些自由电子称之为载流子。在N型半导体中,载流子主要是由外来几价元素提供的额外电子构成。 N型半导体的电子浓度较高,电子是主要的载流子,而空穴浓度较低。由于载流子可以自由移动,因此N型半导体具有较好的导电性能。这一特性使得N型半导体在各种电子器件中广泛应用,如场效应管(FET)、发光二极管(LED)、太阳能电池等。 总之,在本征半导体中掺入具有5个价电子的几价元素,可以引入额外的自由电子,形成N型半导体,具有较高的导电性能,适用于各种电子器件的制造。
半导体激光器是利用半导体材料的电光转换特性,通过注入载流子在光波导中的复合与激发,产生激光的一种器件。光纤放大器是利用光信号在光纤中传输时的增强性质,通过光与掺杂纤芯中各种离子的相互作用,将输入信号放大的一种光学放大器。全息摄影激光测距仪是利用全息衍射原理和激光干涉技术,通过对物体辐射出的散射和反射激光进行成像和分析,从而达到测距和3D成像的目的。 在半导体激光器的工作原理方面,半导体材料是由两种不同的半导体材料混合而成。当向材料中加入电子时,电子会从N型半导体材料向P型半导体材料移动,与空穴相遇,产生光子,从而形成激光。在光纤放大器的工作原理方面,光子经过掺杂的光纤纤芯时,与掺杂材料中的离子相互作用形成跃迁。在跃迁过程中,光子的数量将大大增加,从而放大输入信号。在全息摄影激光测距仪的工作原理方面,光纤和全息摄影仪通过干涉仪进行光程调节,将在输入信号中的“物理形状”映射到测量系统之中,通过全息干涉仪进行成像和分析,从而实现3D成像和测距的功能。 关于这些激光技术的应用,文献较多。例如: 1.半导体激光器的应用,见《光技术》2018年第2期。 2.光纤放大器的应用,见《光学技术》2018年第5期。 3.全息摄影激光测距仪的应用,见《光纤与光电子技术》2017年第1期。 需要注意的是,以上仅为建议的参考文献,具体可根据需要进行查找和筛选。
STM32F103C8T6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器(MCU)。它是STM32F103系列中的一员,被广泛应用于各种嵌入式系统和应用领域。 一、STM32F103C8T6的硬件架构 1. 内核 STM32F103C8T6采用了ARM Cortex-M3内核,该内核是一款高性能、低功耗的32位RISC处理器,具有运算速度快、指令集简单、易于开发等优点。 2. 存储器 STM32F103C8T6的存储器包括64KB的Flash存储器和20KB的SRAM存储器。Flash存储器用于存储程序代码和固件,SRAM存储器用于存储数据和变量。 3. 时钟 STM32F103C8T6采用了内部RC振荡器和外部晶体振荡器两种时钟源。它的时钟频率可以达到72MHz,能够满足大多数应用场景的需求。 4. IO口 STM32F103C8T6共有37个IO口,其中34个为通用IO口,可以用于输入输出或者其他功能。另外3个IO口则专门用于JTAG/SWD调试。 5. 通信接口 STM32F103C8T6支持多种通信接口,包括SPI、I2C、USART、CAN等,可以满足各种通信需求。 6. 定时器 STM32F103C8T6内置了多个定时器,包括基本定时器、高级定时器和通用定时器等,可以用于各种定时和计时任务。 二、STM32F103C8T6的特点 1. 高性能 STM32F103C8T6采用了ARM Cortex-M3内核,具有高性能和低功耗的特点。同时,它的时钟频率可以达到72MHz,能够满足大多数应用场景的需求。 2. 丰富的外设 STM32F103C8T6具有多种外设,包括通信接口、定时器、ADC、DAC等,可以满足各种应用场景的需求。 3. 低功耗 STM32F103C8T6采用了低功耗设计,能够在低电压下工作,并且具有多种低功耗模式,可以最大程度地延长电池寿命。 4. 易于开发 STM32F103C8T6采用了标准的ARM Cortex-M3内核和外设接口,开发者可以使用多种开发工具和软件进行开发,并且可以轻松移植代码和应用程序。 5. 丰富的开发资源 由于STM32F103C8T6是一款非常流行的MCU,因此有丰富的开发资源可用,包括开发板、示例代码、文档和社区支持等。 三、STM32F103C8T6的应用领域 由于STM32F103C8T6具有高性能、低功耗和丰富的外设等特点,因此被广泛应用于各种嵌入式系统和应用领域,例如: 1. 工业自动化 STM32F103C8T6可以用于控制器、传感器、电机驱动器等工业自动化设备。 2. 智能家居 STM32F103C8T6可以用于智能家居设备,例如智能插座、智能灯具等。 3. 医疗设备 STM32F103C8T6可以用于医疗设备,例如血压计、血糖仪等。 4. 汽车电子 STM32F103C8T6可以用于汽车电子设备,例如电子控制单元(ECU)、防盗系统、车载娱乐系统等。 5. 无人机 STM32F103C8T6可以用于无人机控制器、传感器等。 总之,STM32F103C8T6是一款功能强大、易于开发、广泛应用的MCU,具有良好的性能和稳定性,可以满足各种嵌入式系统和应用领域的需求。
一、STM32F103C8T6是什么 STM32F103C8T6是意法半导体推出的一款32位Flash微控制器,采用ARM Cortex-M3内核。它是STM32F1系列中的一员,该系列是意法半导体推出的首批Cortex-M3微控制器系列之一。 二、STM32F103C8T6的特性 1.高性能 STM32F103C8T6采用ARM Cortex-M3内核,最高主频72MHz,拥有单周期乘法和硬件除法器,能够提供高性能的计算能力。 2.丰富的外设 STM32F103C8T6拥有丰富的外设,包括多个通用定时器、高级控制定时器、看门狗定时器、DMA控制器、USART、SPI、I2C等通信接口,以及ADC、DAC、比较器等模拟外设。 3.多种存储器 STM32F103C8T6拥有64KB的Flash存储器和20KB的SRAM,同时还支持外部存储器的扩展,如NOR Flash、NAND Flash以及SDRAM等。 4.低功耗 STM32F103C8T6采用了多种低功耗技术,包括动态电压调整、低功耗待机模式、低功耗休眠模式等,能够在嵌入式系统中提供更长的电池寿命。 5.丰富的开发工具 STM32F103C8T6支持多种开发工具,包括Keil、IAR、GCC等,同时还有完善的开发文档和示例程序,方便开发人员进行二次开发。 三、应用领域 STM32F103C8T6广泛应用于各种嵌入式系统中,包括工业自动化、医疗设备、家用电器、智能家居、安防监控、汽车电子、航空航天等领域。它能够提供稳定可靠的性能和丰富的外设,满足不同应用场景下的需求。 四、开发板 针对STM32F103C8T6的开发板也很多,如ST公司的STM32F103C8T6 Discovery、Waveshare的STM32F103C8T6 Mini等,这些开发板既可以作为学习板,也可以作为原型验证板,方便开发人员快速进行开发和调试。 五、总结 STM32F103C8T6是一款功能强大的32位微控制器,它采用了ARM Cortex-M3内核,拥有丰富的外设和多种存储器,能够满足不同应用场景下的需求。同时,STM32F103C8T6也有着低功耗、丰富的开发工具等优点,得到了广泛的应用。
在半导体中,BMD(Bulk Micro Defects)是指材料内部存在的微观缺陷。BMD缺陷对半导体器件的性能和可靠性有着重要影响,因此有一定的要求。 首先,半导体中的BMD缺陷应该尽量减少。这是因为BMD缺陷会导致材料的结晶缺陷、离子杂质等,在材料的晶格结构中形成能级,从而影响电子的运动和能带结构。高浓度的BMD缺陷会导致电子和空穴的复合速率增加,从而降低材料的载流子迁移率和电导率,并增加材料的电阻。因此,降低BMD缺陷的浓度对于提高半导体材料的性能至关重要。 其次,BMD缺陷应该具有一定的尺寸和分布要求。尺寸过小的BMD缺陷可能由于其体积小,无法有效地影响材料的性能。而尺寸过大的BMD缺陷则可能成为材料中的局部势垒,导致局部电压的变化,进而影响器件的电性能。因此,BMD缺陷的尺寸应该在一定范围内,以确保其对半导体器件的影响处于可控的范围之内。 此外,BMD缺陷的分布应该均匀,并且避免出现局部集中的情况。均匀的BMD缺陷分布可以降低电子与BMD缺陷之间的反射和散射,提高电子的迁移率和扩散性能。而局部集中的BMD缺陷则可能导致器件中形成势垒,降低电子的自由度,从而影响器件的整体性能。 综上所述,半导体材料中的BMD缺陷应该尽量减少,尺寸适中,分布均匀。这些要求有助于提高半导体器件的性能和可靠性。
### 回答1: 半导体材料光催化剂提升光生载流子分离效率的几种方法包括:1. 使用尺寸越来越小的半导体纳米材料,以提高半导体表面积;2. 增加半导体表面反应性和活性物质,以增强反应速率;3. 使用多层结构中的多种半导体材料,以改善光子-电子能量传输效率;4. 引入纳米结构,以增加表面和界面能量状态;5. 提高光子-电子能量传输过程中的能量转换效率;6. 设计催化剂结构,以改善光子-电子能量转换过程。 ### 回答2: 半导体材料作为一种光催化剂,在光生载流子分离效率方面可以通过以下几种方法得到提升。 首先,可以通过光催化剂表面的导电层的设计来提高载流子的分离效率。例如,使用导电聚合物或金属氧化物等材料来改善光催化剂表面的导电性,使得光生电子和空穴能够快速地分离并传输到表面。这种方法利用了导电层的导电性能,加快了载流子的收集速度,从而提高了光生载流子的分离效率。 其次,可以通过表面修饰来提高载流子的分离效率。表面修饰可以包括纳米结构调控、涂覆其他催化剂等方法。通过在半导体材料表面引入纳米颗粒或者纳米结构,可以增加表面积和光生载流子的分离界面,从而提高了光生载流子分离效率。涂覆其他催化剂如金纳米颗粒等,能够进一步促进光生载流子的分离和传输。 此外,光催化剂的载流子扩散长度对于光生载流子分离效率也有影响。为了提高载流子扩散长度,可以通过调控光催化剂的电子结构或添加助催化剂等方法来实现。例如,调控光催化剂的禁带宽度或带隙能够改变载流子的激发和传输效率,增加载流子扩散长度,从而提高光生载流子的分离效率。添加助催化剂如稀土离子等能够改变光催化剂的电子结构,增加光生载流子的传输通道,进一步提高分离效率。 综上所述,通过表面导电层的设计、表面修饰以及调控载流子扩散长度等方法,可以显著提高半导体材料光催化剂的光生载流子分离效率,从而提高光催化剂的光催化性能。 ### 回答3: 对于半导体材料光催化剂来说,提高光生载流子分离效率是非常重要的。以下是几种常用的方法: 1. 载流子分离界面设计:通过调控载流子分离界面的结构和形态,可以有效地促进光生电子与空穴的分离。例如,引入有机分子修饰剂或过渡金属氧化物纳米颗粒,可以增强载流子分离效率。 2. 异质结构构筑:将不同的半导体材料通过界面结合,构筑异质结构,可以形成带隙梯度,促使光生载流子向带隙较小的区域迁移,并增强载流子分离效率。 3. 表面修饰:表面修饰是一种有效的方法,可以提高光生载流子分离效率。例如,通过金属纳米颗粒修饰表面,可以增加光生载流子的捕获和转移速率,从而提高载流子分离效率。 4. 光敏剂掺杂:将适量的光敏剂掺杂到半导体材料中,可以提高光吸收率和载流子产生率,从而促进光生载流子分离。 5. 光生载流子传输通道优化:通过控制半导体材料内部的电子和空穴传输通道,例如调控材料的晶格结构或缺陷态的浓度,可以降低电子与空穴的复合速率,进而提高载流子分离效率。 综上所述,通过设计载流子分离界面、构筑异质结构、表面修饰、光敏剂掺杂以及优化光生载流子传输通道等方法,可以有效地提高半导体材料光催化剂的光生载流子分离效率。这些方法的应用为光催化材料的性能提升提供了重要的途径。
### 回答1: 瑞莎半导体RH850系列是一种高性能汽车微控制器单元(MCU),其数据手册是针对该系列芯片的详细说明和技术规格的文档。 该数据手册提供了RH850系列MCU的各种功能和特性的完整介绍。其中包括芯片的架构、内部外部总线结构、内存和外设的布局、中央处理器(CPU)的性能规格、工作频率范围、电源管理和电源电压等技术参数。此外,还介绍了芯片的各种外设模块,如通用串行总线(USB)、以太网、CAN总线、SPI和I2C接口等,并详细描述了它们的功能和特性。 此外,数据手册还提供了开发和编程RH850系列MCU的详细指导,包括内置的调试和调试接口、软件开发工具链的使用、驱动程序编写要点等。它还介绍了编程语言和框架、开发环境、调试工具和软件的集成,以及与其他常见汽车电子系统的接口和通信方法。 数据手册还包含了RH850系列MCU的信号和时序图,以帮助开发人员了解芯片的内部工作原理和操作方式。此外,它还提供了示例代码和实用工具的使用方法,以及一些典型应用案例和建议。 总体而言,瑞莎半导体RH850中文数据手册是开发人员和工程师理解和应用RH850系列MCU的重要参考资料。它提供了全面的技术规格和应用指导,帮助用户充分发挥芯片的性能,从而实现各种汽车电子控制应用。 ### 回答2: 瑞莎半导体RH850中文数据手册是一本关于瑞莎半导体公司生产的RH850系列芯片的详细说明书。通过这本手册,用户可以了解关于这款芯片的各种技术参数、功能特点以及使用方法。 首先,手册会详细介绍RH850芯片的基本特性。这包括芯片的器件型号、工作电压、封装方式等方面的信息。用户可以通过这些参数来选择适合自己需求的芯片型号。 其次,手册会详细介绍RH850芯片的内部结构和功能模块。这包括中央处理器(CPU)、内存、I/O接口、定时器、串行通信等模块。用户可以了解每个模块的功能以及如何通过编程来控制和使用这些模块。 此外,手册还会给出RH850芯片的电气特性和性能参数。这包括芯片的电流消耗、时钟频率、工作温度范围等方面的数据。用户可以根据这些参数来评估芯片的性能和可靠性。 最后,手册还提供了RH850芯片的软件开发工具和应用示例。这包括编译器、调试接口、软件开发工具链等方面的介绍。用户可以通过这些工具和示例来进行软件开发和调试,以满足自己的应用需求。 总而言之,瑞莎半导体RH850中文数据手册是一本详细介绍RH850芯片的技术手册。用户可以通过这本手册了解芯片的各种特性和性能参数,以及如何进行软件开发和应用设计。这对于使用RH850芯片的工程师和技术人员来说是一本非常有价值的参考资料。 ### 回答3: 瑞莎半导体RH850是一种先进的半导体芯片,其中文数据手册是对该芯片的详细说明和技术参数的文档。该手册提供了用户需要了解的关于RH850芯片的各种信息和指导,以帮助用户更好地了解和应用该芯片。 瑞莎半导体RH850中文数据手册首先包括了关于该芯片的基本介绍,包括芯片的型号、功能特性及应用领域。手册中列举了RH850芯片的规格参数,如封装方式、运行频率、工作电压等。这些参数对于用户选择合适的芯片以及进行相关设计和布局是非常重要的依据。 同时,瑞莎半导体RH850中文数据手册还阐述了芯片的主要功能模块和架构,如内核和外设等。通过对这些功能模块的介绍和功能描述,用户可以更好地理解和利用芯片的各种功能,从而实现自己的应用需求。 手册中还会详细介绍RH850芯片的编程和调试方法,包括寄存器的配置和使用、特殊功能的实现等。这对于初次接触该芯片或者对编程不太熟悉的用户来说,具有很大的参考价值和指导意义。 最后,瑞莎半导体RH850中文数据手册还会提供一些典型的应用案例,以及相关的设计注意事项和建议。这些案例可以帮助用户更好地了解和应用该芯片,并发现一些常见问题的解决方法。 总之,瑞莎半导体RH850中文数据手册是一本对于该芯片的全面介绍和操作指南,它通过详细的文字和图表,向用户提供了对该芯片的全面了解和应用。对于芯片的开发者、工程师和研究者来说,该手册是一本必备的参考资料。

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