nmos的上管的源极接什么？

在NMOS的开关电路中，上管的源极应该连接到电路的负电源或地（GND）。这是因为NMOS的上管是一个n-channel MOSFET，其栅极电压高于源极电压时才能导通。因此，当上管的栅极电压低于源极电压时，它处于截止状态，不会导通电流。而当上管的栅极电压高于源极电压时，它会导通电流，从而连接电路的负电源和电路的负载。因此，上管的源极应该连接到负电源或地，以确保上管能够正确地工作。

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nmos下管的漏极接啥？

在NMOS的开关电路中，下管的漏极应该连接到电路的负电源或地（GND）。这是因为NMOS的下管是一个n-channel MOSFET，其栅极电压高于源极电压时才能导通。因此，当下管的栅极电压低于源极电压时，它处于截止状态，不会导通电流。而当下管的栅极电压高于源极电压时，它会导通电流，从而连接电路的负电源和电路的负载。因此，下管的漏极应该连接到负电源或地，以确保下管能够正确地工作。

nmos管漏极接负电

NMOS（场效应晶体管）是一种常用的电子元件，在其基本结构中，漏源（Drain-Source, DS）连接形成了电流流动的主要路径。当漏极（Drain）接负电时，它的名称来源于"draining"，意味着它会成为一个“漏电”的端口，即从这个点往外漏出电子。在这种状态下：

1. **栅极到源极之间的电压**通常是正的，称为栅源电压（VGS），这使得栅极对源极形成一个电势差，让源极的多数载流子（通常在硅材料中是自由电子）被排斥到漏极。

2. **由于栅极偏压的作用，**MOSFET进入截止状态，此时通道内的电阻非常高，几乎没有电流通过，表现为高阻抗。

3. **在数字电路中，当漏极为低电位（如地线）时，**相当于信号关闭或处于0的状态，常用于开关控制应用。