pmos 和nmos 差分对，相同面积下，哪个offset x小

在相同面积的情况下，PMOS和NMOS差分对的偏置电压（Offset Voltage）大小取决于它们的性能参数，例如迁移特性曲线的斜率、门电容、漏电流等因素。因此，不能一概而论哪个offset x小。

一般情况下，NMOS的迁移特性曲线比PMOS更陡峭，因此NMOS的增益比PMOS高，可以提高差分对的灵敏度和速度。但是NMOS也存在漏电流问题，这可能会导致差分对的偏置电压不稳定。

因此，在具体的电路设计中，需要根据具体的应用场景和性能要求来选择PMOS和NMOS的差分对结构，以达到最优的性能和偏置电压。