verilog ram深度拼接代码

以下是一个简单的Verilog RAM深度拼接代码示例：

module ram(
input clk, // 时钟信号
input [7:0] addr, // 地址输入
input [7:0] data_in,// 数据输入
input we, // 写使能
output [7:0] data_out // 数据输出
);

reg [7:0] mem[0:255][0:7]; // 定义一个256x8的RAM

always @(posedge clk) begin
if (we) // 写
mem[addr][0:7] <= data_in;
else // 读
data_out <= mem[addr][0:7];
end

endmodule

以上代码定义了一个256x8的RAM，可以通过8位地址输入和8位数据输入/输出进行读写操作。如果需要深度拼接，只需要在实例化时将多个RAM模块串联起来即可。例如，如果需要深度拼接4个RAM模块，则可以这样实例化：

ram r1(clk, addr[7:0], data_in[7:0], we, data_out1[7:0]);
ram r2(clk, addr[15:8], data_in[15:8], we, data_out2[7:0]);
ram r3(clk, addr[23:16], data_in[23:16], we, data_out3[7:0]);
ram r4(clk, addr[31:24], data_in[31:24], we, data_out4[7:0]);

其中，addr和data_in被分成4个8位部分分别输入到不同的RAM模块中，而data_out被从4个RAM模块中读取出来，然后组合成一个32位的数据输出。