mos管中为何沟道电荷是斜的
时间: 2024-08-16 22:01:40 浏览: 129
N沟道MOS管控制电路-光耦型
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MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管,其沟道内的电荷分布通常是通过调控栅极电压(Vg)来控制的。当栅极电压高于源极电压(VS)时,电子从源极注入到氧化层与半导体界面之间形成一个耗尽区。在这个区域,由于氧化层的存在,电子无法直接穿透,因此形成一个几乎是纯空穴的区域。
当栅极电压进一步增大,超过了阈值电压(VT),在栅极和源极之间的氧化层内会积累大量的负电荷(称为表面电荷)。这些负电荷对靠近它的电荷有排斥作用,使得靠近氧化层附近的区域带正电,远离氧化层的地方则逐渐变为中性。这种电荷分布形成了一个类似于山坡(斜坡)的形状,也就是所谓的“倒置”的势垒,决定了电流的流动路径。
沟道电荷的斜度是由门极电压控制的,因为更高的电压可以更有效地在氧化层上创建更多的负电荷,从而改变势垒的陡峭程度。这就是为什么我们说沟道电荷是随着栅极电压变化而斜变的。
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