STM32F103C8T6数据存储器
时间: 2024-04-23 15:12:08 浏览: 35
STM32F103C8T6是一款32位微控制器,拥有64KB的闪存和20KB的SRAM。其中,闪存用于存储程序代码,SRAM用于存储数据。
除此之外,STM32F103C8T6还具有其他的数据存储器,包括:
1. 512B的EEPROM(电可擦可编程只读存储器),用于存储特定的配置数据和用户数据。
2. 1KB的备份寄存器(Backup Registers),用于存储系统复位前的数据,比如时钟和日历信息。
3. 2KB的备份SRAM,用于存储系统复位前的数据,比如中断和DMA传输的状态和数据。
需要注意的是,备份寄存器和备份SRAM都是在Vbat电源下工作的,因此需要外部电源供电。同时,EEPROM的写入次数有限,需要谨慎使用。
相关问题
STM32F103C8T6外部存储器EEPROM
STM32F103C8T6可以通过I2C接口连接外部存储器EEPROM,实现数据的读写。以下是EEPROM的基本概念和使用方法:
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一种可编程的、可擦写的ROM,它可以通过电气信号来擦除和写入数据。EEPROM的容量一般比较小,常见的有1K、2K、4K等容量。
STM32F103C8T6通过I2C接口连接EEPROM时,需要设置EEPROM的设备地址和页地址,并发送读写命令和数据。具体的读写方法可以参考以下代码:
```c
#include "stm32f10x.h"
#include "i2c.h"
#define EEPROM_ADDR 0xA0 // EEPROM的设备地址
#define PAGE_SIZE 8 // EEPROM的页大小
void EEPROM_WriteByte(uint16_t addr, uint8_t data)
{
uint8_t buf[2];
buf[0] = addr >> 8; // 页地址高位
buf[1] = addr & 0xFF; // 页地址低位
I2C_Start();
I2C_SendByte(EEPROM_ADDR);
I2C_WaitAck();
I2C_SendByte(buf[0]);
I2C_WaitAck();
I2C_SendByte(buf[1]);
I2C_WaitAck();
I2C_SendByte(data);
I2C_WaitAck();
I2C_Stop();
delay_ms(5); // 需要等待5ms,使EEPROM内部完成写操作
}
uint8_t EEPROM_ReadByte(uint16_t addr)
{
uint8_t buf[2];
buf[0] = addr >> 8; // 页地址高位
buf[1] = addr & 0xFF; // 页地址低位
I2C_Start();
I2C_SendByte(EEPROM_ADDR);
I2C_WaitAck();
I2C_SendByte(buf[0]);
I2C_WaitAck();
I2C_SendByte(buf[1]);
I2C_WaitAck();
I2C_Start();
I2C_SendByte(EEPROM_ADDR + 1);
I2C_WaitAck();
uint8_t data = I2C_ReadByte();
I2C_Stop();
return data;
}
void EEPROM_WriteData(uint16_t addr, uint8_t *data, uint16_t len)
{
uint16_t i, j;
for (i = 0; i < len; i += PAGE_SIZE)
{
uint8_t page = addr / PAGE_SIZE;
uint8_t offset = addr % PAGE_SIZE;
uint8_t count = PAGE_SIZE - offset;
if (count > len - i) count = len - i;
for (j = 0; j < count; j++)
{
EEPROM_WriteByte(page * PAGE_SIZE + offset + j, data[i + j]);
}
addr += count;
}
}
void EEPROM_ReadData(uint16_t addr, uint8_t *data, uint16_t len)
{
uint16_t i;
for (i = 0; i < len; i++)
{
data[i] = EEPROM_ReadByte(addr + i);
}
}
```
在使用EEPROM时,需要注意以下几点:
1. EEPROM的写操作需要等待一段时间,才能保证数据写入成功。一般来说,等待时间需要根据EEPROM的型号和数据手册来确定。
2. EEPROM具有有限的写入寿命,每个单元的擦除和写入次数都是有限的。因此,需要合理地规划EEPROM的使用,避免过度写入数据。
3. 在使用EEPROM时,需要注意地址的范围和数据的长度,避免越界读写数据。
stm32f103c8t6数据存储模式
根据提供的引用[1],STM32F103C8T6是一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器,它具有64KB的Flash存储器和20KB的SRAM存储器。在STM32F103C8T6中,数据存储模式包括两种:Flash存储器和SRAM存储器。
Flash存储器是一种非易失性存储器,用于存储程序代码和常量数据。在STM32F103C8T6中,Flash存储器被分为两个区域:Main Flash Memory和System Memory。Main Flash Memory用于存储用户程序代码和数据,而System Memory用于存储Bootloader程序和EEPROM模拟器。Flash存储器的写入操作需要特殊的处理,因为它只能被擦除和编程一次。因此,在编写代码时,需要特别注意Flash存储器的使用。
SRAM存储器是一种易失性存储器,用于存储变量和堆栈数据。在STM32F103C8T6中,SRAM存储器被分为两个区域:Main SRAM和Backup SRAM。Main SRAM用于存储程序运行时的变量和堆栈数据,而Backup SRAM用于存储数据备份。SRAM存储器的读写速度比Flash存储器快,但是它是易失性存储器,当掉电或复位时,其中的数据将会丢失。
--相关问题--:
1. 如何在STM32F103C8T6中使用Flash存储器?
2. 如何在STM