16.(10.0分)用容量为16Kx1的DRAM芯片构成 64KB的存诸器。 (1)画出该存诸器的结构框图。 (2)设存诸器的读写周期均为0.5us，CPV在lus内 至少访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理? 相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存诸单元 刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

1. 存储器结构框图如下：

+------------------------+
|     64KB 存储器        |
+------------------------+
| 0x0000 - 0x3FFF        |
|------------------------|
| 0x4000 - 0x7FFF        |
|------------------------|
| 0x8000 - 0xBFFF        |
|------------------------|
| 0xC000 - 0xFFFF        |
+------------------------+

其中，每个16Kx1的DRAM芯片占据4个连续的地址空间。

2. 由于读写周期均为0.5us，每个DRAM芯片需要在0.5us内进行一次刷新。因此，采用自刷新方式比较合理，这样可以避免对CPU的干扰。

相邻两行之间的刷新间隔为4个DRAM芯片的刷新时间，即2us。

对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为64KB / 16KB * 0.5us = 2us。因此，需要在2us内完成对全部存储单元的刷新。