sram存储器verilog代码

下面是一个简单的 SRAM 存储器的 Verilog 代码示例：

module sram (
  input clk,
  input we,
  input [7:0] addr,
  input [7:0] din,
  output reg [7:0] dout
);

  reg [7:0] mem [0:255];

  always @(posedge clk) begin
    if (we) begin
      mem[addr] <= din;
    end
    dout <= mem[addr];
  end

endmodule

这个 SRAM 存储器模块有一个时钟输入 `clk`，一个写使能输入 `we`，一个 8 位地址输入 `addr`，一个 8 位数据输入 `din`，一个 8 位数据输出 `dout`。存储器使用一个 256 个 8 位元素的数组 `mem` 来存储数据。当写使能 `we` 为高电平时，输入数据 `din` 将会被写入到地址 `addr` 所指向的存储单元中。当写使能 `we` 为低电平时，输出数据 `dout` 将会从地址 `addr` 所指向的存储单元中读取。

这只是一个简单的示例代码，实际的 SRAM 存储器可能需要更多的控制信号和状态机来管理读写操作。

相关问题

SRAM 的verilog

以下是一个使用 Verilog 描述的简单静态随机存取存储器（SRAM）模块的示例：

module SRAM (
  input wire clk,
  input wire [7:0] address,
  input wire [7:0] data_in,
  input wire write_enable,
  output wire [7:0] data_out
);

  reg [7:0] memory [0:255];

  always @(posedge clk) begin
    if (write_enable)
      memory[address] <= data_in;
  end

  assign data_out = memory[address];

endmodule

这个 SRAM 模块有一个 8 位的地址线（address）、8 位的数据输入线（data_in）、一个写使能信号（write_enable）和一个 8 位的数据输出线（data_out）。在上升沿时，如果写使能信号为高，则将数据输入写入到对应地址的存储器中。无论读写，输出都是从对应地址的存储器中读取的数据。

请注意，这只是一个简单的示例，实际的 SRAM 模块可能具有更多的功能和特性，例如读写延迟、读写保护等。具体实现取决于你的需求和设计要求。