你仿真一个赛灵思SRAM单元，看一下如果初始值是0，要配置一个1进去的话，VSRAM需要提供多大的电流

赛灵思SRAM单元的电路模型比较复杂，一般需要使用赛灵思的仿真工具进行仿真。以下是一个简化的赛灵思SRAM单元的Verilog-A模型：

module sram (input write, input enable, input [7:0] address, inout [7:0] data);
    parameter t_access = 5; // 存取时间
    parameter t_hold = 2; // 保持时间
    parameter t_setup = 2; // 设置时间
    parameter t_write = 10; // 写入时间
    parameter t_restore = 2; // 恢复时间
    parameter i_write = 1.0; // 写入电流
    parameter i_restore = 0.1; // 恢复电流
    reg [7:0] mem [0:255]; // 存储器数组
    reg [7:0] data_out; // 输出数据
    reg [7:0] address_last; // 上一次的地址
    reg write_last; // 上一次的写入信号
    reg enable_last; // 上一次的使能信号

    // 存取延时
    task delay;
        input integer time;
        begin
            integer i;
            for (i = 0; i < time; i = i + 1) #1;
        end
    endtask

    // 写入操作
    task write_op;
        begin
            integer i;
            for (i = 0; i < t_write; i = i + 1) begin
                if (write_last == 1'b0) begin
                    write_last = 1'b1;
                    enable_last = 1'b1;
                end
                delay(1);
            end
            write_last = 1'b0;
            enable_last = 1'b0;
            delay(t_restore);
        end
    endtask

    // 仿真过程
    initial begin
        integer i;
        write_last = 1'b0;
        enable_last = 1'b0;
        for (i = 0; i < 256; i = i + 1) begin
            mem[i] = 8'h00;
        end
        #1;
        // 写入1
        address <= 8'h00;
        data <= 8'h01;
        write <= 1'b1;
        enable <= 1'b1;
        write_op;
        enable <= 1'b0;
        #1;
        // 读取数据
        address <= 8'h00;
        write <= 1'b0;
        enable <= 1'b1;
        delay(t_access);
        data_out = mem[address_last];
        enable <= 1'b0;
        #1;
        $finish;
    end

    // 存储器操作
    always @(posedge enable) begin
        if (write == 1'b1) begin
            mem[address] <= data;
        end else begin
            address_last <= address;
        end
    end

    // 输出数据
    assign data = data_out;

endmodule

在仿真过程中，我们将写入信号write设为1，使能信号enable设为1，并将地址address和数据data分别设为8'h00和8'h01，模拟写入一个“1”的过程。仿真过程中，我们还需要设置写入时间、恢复时间以及写入电流等参数，以确保写入操作的可靠性和稳定性。

具体来说，写入电流的大小取决于存储器单元的电容大小、写入时间以及电压的大小等因素。在实际设计中，需要根据具体的电路参数和工艺特性进行计算和优化，以满足不同的应用需求。