STM32F030 校准
时间: 2024-01-03 14:57:31 浏览: 83
根据引用,在使用STM32F030K6T6芯片时,如果没有外部的EEPROM存储器,可以考虑使用内部的Flash进行程序自校准。代码中可以通过读取Flash中的数据来判断是否有数据被写入。同时,根据引用,可以通过访问特定的16位寄存器来获取芯片出厂前在3.3V供电时的Vrefint测试校准值。
因此,STM32F030芯片的校准主要包括两个方面:程序自校准和Vrefint校准。程序自校准是基于内部Flash的读写操作,用来判断是否有数据被写入;而Vrefint校准是通过读取特定寄存器中的预设值来获取校准值。校准过程需要结合具体的代码和芯片规格进行实施。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span>
#### 引用[.reference_title]
- *1* [STM32F030 HAL库内部 FLASH读写](https://blog.csdn.net/qq_45539458/article/details/130733182)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_1"}}] [.reference_item style="max-width: 33.333333333333336%"]
- *2* [STM32f407电子密码锁](https://download.csdn.net/download/weixin_42490599/85205496)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_1"}}] [.reference_item style="max-width: 33.333333333333336%"]
- *3* [STM32F030 电压监测实现](https://blog.csdn.net/hwytree/article/details/106694331)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_1"}}] [.reference_item style="max-width: 33.333333333333336%"]
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