PVD和CVD成膜的区别

Physical Vapor Deposition (PVD)和Chemical Vapor Deposition (CVD)是两种不同的薄膜制备技术。

**PVD（物理气相沉积）**[^1]：
- 发生在真空中，通常涉及物质源（如固态或液态）升华成气态，随后这些气态原子或分子在基底表面沉积形成薄膜。
- 包括蒸发沉积（材料直接加热至蒸气状态）、溅射沉积（高速粒子撞击靶材使原子飞溅沉积）等方法。
- 过程中不涉及化学反应，仅物理转移。

**CVD（化学气相沉积）**[^2]：
- 与PVD不同，CVD是在气相中发生化学反应来生长薄膜，而非单纯物理转移。
- 基板上的化学反应通常是基于一种或多种气体，它们可能转化为有用的化合物并在冷却时固化为固态。
- 例如，气相硅烷可以在高温下分解成硅原子并沉积在基板上，形成高质量的硅片。

总结来说，PVD主要依赖物理能量转移，而CVD则依赖于化学反应。CVD能够生成更复杂的化合物结构，而PVD适用于需要纯度高、结晶好的无定形或单晶薄膜的情况。