short open设计思路
时间: 2023-11-02 19:57:20 浏览: 53
设计思路中的"short open"指的是在电路中存在短路和断路的情况。对于短路问题,可以通过以下几个步骤来解决:
首先,需要使用Innovus等工具来进行短路检测。通过分析电路布局和物理连接,可以识别出存在短路的部分。
接下来,需要进行短路的定位。可以使用Highlight Short功能自动定位到电路布局中的短路点。
一旦确定了短路的位置,就需要采取相应的措施来修复短路。最常见的方法是通过改变电路布线或调整物理连接,以消除短路。这可以包括将线路分开或添加适当的隔离层。
对于断路问题,设计思路会有所不同。通常需要通过以下步骤来解决断路问题:
首先,需要使用Calibre或其他类似的工具进行布局抽取和电路验证。这可以帮助识别出存在断路的部分。
接下来,需要定位断路点。可以使用布局抽取的结果来确定电路中的断路位置。
一旦找到了断路点,就需要采取相应的措施来修复断路。这可能包括改变电路连接或添加适当的引脚或连接器。
总结起来,解决short open设计问题的思路包括识别短路或断路的位置,并通过调整电路布线、改变物理连接等方法来修复它们。这样可以确保电路的正常运行和可靠性。
相关问题
open short
Open-Short测试是芯片测试中的一种方法,用于确认芯片的信号引脚是否存在开路或短路现象。只有既不是开路又不是短路,并且阻值符合设计要求的芯片才被认为是良品芯片。这项测试能够快速检测出芯片是否存在电性物理缺陷,如引脚短路、bondwire缺失、引脚的静电损坏和制造缺陷等。对于大多数器件而言,Open-Short测试方法和参数是标准的,并且它是一种串行静态的DC测试。首先,将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”,然后连接PMU到单个的DUT管脚,并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管。通过检测连接点的电压,可以得知测试结果。Open-Short测试的优点是准确测量失效引起的电压,并将其真实记录和显示出来。然而,需要测试系统对每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。对于拥有PPPMU结构的测试系统来说,这个缺点就不存在了。Open-Short测试也可以使用功能测试来进行。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span>
#### 引用[.reference_title]
- *1* *3* [半导体测试---测试基础原理之OS](https://blog.csdn.net/ssy1582373593/article/details/123788202)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
- *2* [Open-Short Test](https://blog.csdn.net/yunxianpiaoyu/article/details/9091697)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
[ .reference_list ]
DRAM OPEN/SHORT
DRAM OPEN/SHORT是指动态随机存取存储器(DRAM)中的开路和短路问题。DRAM是一种常见的计算机内存类型,用于存储数据和指令。在DRAM芯片中,开路和短路是两种常见的故障类型。
DRAM OPEN(开路)是指DRAM芯片中的某个存储单元或连接线路出现断开的情况。这意味着该存储单元无法正常读取或写入数据,导致数据丢失或错误。
DRAM SHORT(短路)是指DRAM芯片中的某个存储单元或连接线路之间出现短路的情况。这意味着两个或多个存储单元之间的电信号可能会相互干扰,导致数据读取或写入错误。
这些问题通常由制造过程中的缺陷、物理损坏或外部环境因素引起。为了确保DRAM的正常运行,制造商会进行严格的测试和质量控制,以检测和修复这些问题。
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