4． 存储器的刷新操作有集中式刷新和分散式刷新两种方式，后者把每一行的刷新插入到正常的读/写周期之中，如下图所示，现有一256K8位的DRAM芯片，其存储体结构中，每行2568个存储元，如单元刷新间隔不超过8ms，其平均行刷新时间= ⑷ 。

根据题意，我们可以计算出每行的存储元个数为256*8=2048个存储元，而256K*8位的DRAM芯片一共有256K/256=1024行，因此总共有1024*2048=2097152个存储元。假设每行刷新时间为t，那么整个芯片的刷新时间为：

T = 1024 * t

又因为单元刷新间隔不超过8ms，所以t不超过8ms，即t<=8ms。由于题目中给出了平均行刷新时间τ，因此我们可以列出如下的方程：

T = 1024 * τ = 1024 * 2048 * t

解得：

t = τ/2048

代入数据，得到：

t = 8ms/2048 ≈ 3.90625μs

因此，平均行刷新时间τ约为：

τ = 1024 * t ≈ 4ms

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FPGA中SDRAM的刷新机制是什么？为什么需要进行刷新操作？

SDRAM的刷新机制是用来维持存储单元中数据的稳定性和可靠性的一种操作。SDRAM采用了动态存储器技术，存储单元中的电荷会随着时间的推移逐渐衰减。因此，为了保持数据的有效性，需要定期进行刷新操作。

刷新操作是将存储单元中的数据重新写入，以补充电荷损失并延长数据存储时间。SDRAM中的每个存储单元都有一个内部的计数器，用于跟踪存储单元自上次访问以来经过的时间。当计数器达到一个预定的阈值时，就会触发刷新操作。

刷新操作以行为单位进行，称为行刷新（Row Refresh）。行刷新操作会逐个访问存储单元的行，并将行中的数据重新写入。SDRAM的控制器会根据预先设定的刷新周期，在每个刷新周期中执行一定数量的行刷新操作。

需要进行刷新操作的原因是，由于SDRAM采用了动态存储器技术，存储单元中的电荷会逐渐衰减。如果不进行刷新操作，存储单元中的电荷会逐渐降低，最终导致数据丢失或错误。通过定期进行刷新操作，可以补充存储单元中的电荷，确保数据的稳定性和可靠性。

刷新操作对SDRAM的读写性能会有一定的影响，因为在刷新操作期间，存储单元无法进行读取或写入操作。因此，在设计SDRAM的系统时，需要合理地安排刷新操作的时间，以最小化对系统性能的影响。

总结起来，SDRAM的刷新机制是为了保持存储单元中数据的稳定性和可靠性。通过定期进行刷新操作，可以补充存储单元中的电荷，防止数据丢失或错误。

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堆栈是一种特殊的寻址方式，它采用后进先出（LIFO）的原则。堆栈分为存储器堆栈和寄存器堆栈。

存储器堆栈是指使用内存来实现的堆栈。在存储器堆栈中，数据被存储在内存中的一块连续空间中。堆栈指针指向当前栈顶元素的位置，每次入栈操作都会将数据放入栈顶，并将堆栈指针向上移动；出栈操作则将栈顶元素弹出，并将堆栈指针向下移动。

寄存器堆栈是指使用寄存器来实现的堆栈。在寄存器堆栈中，堆栈顶部的几个单元被设计成一个高速的寄存器堆，以提高堆栈的工作速度。访问寄存器堆栈就像访问寄存器一样快速。