用氧化物覆盖硅片表面，并在其中打孔，以形成集电区、发射区和基极区的作用

用氧化物覆盖硅片表面，并在其中打孔，以形成集电区、发射区和基极区的作用是制造晶体管的基础步骤之一。

晶体管通常由三个区域组成：集电区、发射区和基极区。这些区域中的每一个都是由不同类型的半导体材料组成的。例如，集电区和发射区通常是由N型或P型半导体材料组成的，而基极区则是由相反类型的半导体材料组成的。

在制造晶体管时，首先需要在硅片表面形成氧化层。然后，在氧化层上使用光刻技术制造出所需的图形。这些图形用于打开氧化层并暴露出硅片表面的区域。接下来，通过控制硅片表面的掺杂和扩散过程，可以在这些区域中形成所需的N型或P型半导体材料。最后，通过在这些区域中沉积金属或其他导电材料，可以形成集电区、发射区和基极区。

这样，通过在氧化物上打孔的方式，就可以形成晶体管的三个区域，从而制造出晶体管。晶体管是现代电子设备中最重要的元件之一，广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关、计算机等。

相关问题

通过高温扩散或离子注入掺杂不同区域，形成N型掺杂的发射区和P型掺杂的基极区的作用

通过高温扩散或离子注入掺杂不同区域，形成N型掺杂的发射区和P型掺杂的基极区的作用是在晶体管制造过程中实现区域掺杂的目的。

在晶体管中，NPN型晶体管是最常见的一种。NPN型晶体管有三个区域：N型区，P型区和N型区。其中，P型区位于两个N型区之间，起到隔离两个N型区的作用，而这两个N型区则分别是发射区和集电区。由于发射区和集电区都是N型区，因此需要在P型区域中形成一个P型掺杂的基极区，以确保晶体管的正常工作。

为了形成这样的P型掺杂的基极区，可以通过高温扩散或离子注入的方式将硼等P型掺杂剂注入到P型区域中。高温扩散是指将硅片置于高温下，使其表面的硅原子与加热炉中的气体反应，从而形成硼或其他P型掺杂剂的层。离子注入则是将硼或其他P型掺杂剂的离子注入到硅片中，使其在硅片内部形成P型掺杂区域。

通过这种方式，可以在硅片上形成P型掺杂的基极区，从而实现NPN型晶体管的制造。晶体管是现代电子设备中最重要的元件之一，广泛应用于各种电子设备中，如放大器、开关、计算机等。

在三极管的基极是高电平，发射极连接低电平时呢

当极管的基极施加高电平，发射极连接低电平时，基极和发射极之间会形成一个正向偏置的PN结，此时会有电流从基极流入，经过放大后流向集电极。由于发射极电势低于基极电势，因此电流流向发射极，形成了一个共射极放大电路。

在这种情况下，由于三极管是一个放大器，放大倍数取决于三极管的工作状态和外部电路的负载等因素。但是当发射极接地时，相当于将三极管的负载短接到地，此时三极管处于最大放大状态，可以近似认为集电极电压接近于0V。因此，当三极管的基极是高电平，发射极连接低电平时，集电极电压会非常接近于0V。