EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1; EraseInitStruct.NbSectors = 1; EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_3; EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;作用

这段代码是用来进行 Flash 擦除操作的，其中定义了一个名为 EraseInitStruct 的结构体，包含了需要擦除的 Flash 区域相关的信息。具体的作用如下：

- EraseInitStruct.Banks：需要擦除的 Flash 区域所在的 Flash Bank，这里设置为 FLASH_BANK_1。
- EraseInitStruct.NbSectors：需要擦除的扇区数量，这里设置为 1，表示只擦除一个扇区。
- EraseInitStruct.Sector：需要擦除的 Flash 扇区号，这里设置为 FLASH_SECTOR_3，表示需要擦除扇区 3。
- EraseInitStruct.TypeErase：擦除操作类型，这里设置为 FLASH_TYPEERASE_SECTORS，表示按扇区进行擦除。
- EraseInitStruct.VoltageRange：Flash 工作电压范围，这里设置为 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3，表示工作电压范围为 2.7V~3.6V。

总的来说，这段代码的作用是擦除 Flash 中的一个扇区，以便之后可以将新的数据写入到这个扇区中。

相关问题

详细解析一下FLASH_EraseSector这个函数需要的形参

在STM32中，FLASH_EraseSector函数需要传入一个参数，即要擦除的Flash存储器扇区编号。下面对FLASH_EraseSector函数的形参进行详细解析：

1. sector：要擦除的Flash存储器扇区编号，可以使用FLASH_GetSectorNumber函数获取。在擦除Flash存储器之前，需要确保要擦除的扇区不是当前正在使用的扇区，并且没有被锁定。如果要擦除多个扇区，需要多次调用FLASH_EraseSector函数。

例如，要擦除Flash存储器中的第7个扇区，可以按照以下方式调用FLASH_EraseSector函数：

FLASH_EraseSector(FLASH_SECTOR_7, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);

需要注意的是，不同型号的STM32芯片支持的Flash存储器扇区数量和编号可能不同，在使用FLASH_EraseSector函数时需要根据具体的芯片型号和数据手册进行调整。

2. VoltageRange：Flash存储器供电电压范围，类型为uint8_t。可以传入以下常量之一：

- FLASH_VOLTAGE_RANGE_1：供电电压范围为1.8V至2.1V。
- FLASH_VOLTAGE_RANGE_2：供电电压范围为2.1V至2.7V。
- FLASH_VOLTAGE_RANGE_3：供电电压范围为2.7V至3.6V。

在使用FLASH_EraseSector函数时，需要根据实际情况选择正确的供电电压范围，否则擦除操作可能会失败。

需要注意的是，FLASH_EraseSector函数还有一个可选的形参Banks，用于指定要擦除的Flash存储器扇区所在的Flash存储器Bank，但是在大多数情况下可以将其设置为默认值FLASH_BANK_1即可。

用c语言写flash的读写函数

以下是一个简单的示例来实现flash的读写函数，假设我们的flash芯片大小为64 KB，每个扇区大小为1 KB，我们使用STM32的HAL库。

#include "stm32f1xx_hal.h"
#include <stdbool.h>

#define FLASH_START_ADDR ((uint32_t)0x08000000)   // Flash起始地址
#define FLASH_SECTOR_SIZE ((uint32_t)0x400)       // 扇区大小
#define FLASH_NUM_SECTORS ((uint32_t)64)          // 扇区数量
#define FLASH_TIMEOUT ((uint32_t)1000)            // 超时时间（ms）

// 函数：flash擦除
bool flash_erase(uint32_t sector_num)
{
  // 检查扇区号是否超过范围
  if(sector_num >= FLASH_NUM_SECTORS)
  {
    return false;
  }
  
  FLASH_EraseInitTypeDef erase_init;
  erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
  erase_init.Banks = FLASH_BANK_1;
  erase_init.Sector = sector_num;
  erase_init.NbSectors = 1;
  erase_init.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
  
  uint32_t page_error = 0;
  HAL_StatusTypeDef status = HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, &page_error);
  
  return (status == HAL_OK);
}

// 函数：flash写入
bool flash_write(uint32_t addr, const void *data, uint32_t size)
{
  // 检查写入地址是否超过范围
  if(addr + size > FLASH_START_ADDR + FLASH_NUM_SECTORS * FLASH_SECTOR_SIZE)
  {
    return false;
  }
  
  // 检查地址是否对齐
  if(addr % 4 != 0)
  {
    return false;
  }

  HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
  
  // 禁止所有中断
  __disable_irq();
  
  // Debounce时间内等待直到Flash可写
  HAL_FLASH_Unlock();
  while(status == HAL_OK && size > 0)
  {
    status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, *(uint32_t *)data);
    addr += 4;
    data += 4;
    size -= 4;
  }
  HAL_FLASH_Lock();
  
  // 重新允许所有中断
  __enable_irq();
  
  return (status == HAL_OK);
}

// 函数：flash读取
bool flash_read(uint32_t addr, void *data, uint32_t size)
{
  // 检查读取地址是否超过范围
  if(addr + size > FLASH_START_ADDR + FLASH_NUM_SECTORS * FLASH_SECTOR_SIZE)
  {
    return false;
  }
  
  // 检查地址是否对齐
  if(addr % 4 != 0)
  {
    return false;
  }
  
  // 拷贝数据
  size_t i;
  for(i = 0; i < size / 4; ++i)
  {
    ((uint32_t *)data)[i] = *(volatile uint32_t *)(addr + i * 4);
  }
  
  return true;
}

以上示例代码只是一个简单的参考，实际使用时需要结合具体的需要进行自定义修改。另外，flash操作是有一定危险性的，使用时需要非常小心。